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半導(dǎo)體/PCB

無掩膜激光直寫光刻儀3D灰度曝光應(yīng)用

來源:中國教育裝備采購網(wǎng)2020-07-07 我要評論(0 )   

近年來,實現(xiàn)微納尺度下的3D灰度結(jié)構(gòu)在包括微機(jī)電(MEMS)、微納光學(xué)及微流控研究領(lǐng)域內(nèi)備受關(guān)注,良好的線性側(cè)壁灰度結(jié)構(gòu)可以很大程度上提高維納器件的靜電力學(xué)特性,...

近年來,實現(xiàn)微納尺度下的3D灰度結(jié)構(gòu)在包括微機(jī)電(MEMS)、微納光學(xué)及微流控研究領(lǐng)域內(nèi)備受關(guān)注,良好的線性側(cè)壁灰度結(jié)構(gòu)可以很大程度上提高維納器件的靜電力學(xué)特性,信號通訊性能及微流通道的混合效率等。相比一些獲取灰度結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)手段,如超快激光刻蝕工藝、電化學(xué)腐蝕或反應(yīng)離子刻蝕等,灰度直寫圖形曝光結(jié)合干法刻蝕可以更加方便地制作任意圖形的3D微納結(jié)構(gòu)。該方法中,利用微鏡矩陣(DMD)開合控制的激光灰度直寫曝光表現(xiàn)出更大的操作便捷性、易于設(shè)計等特點,不需要特定的灰度色調(diào)掩膜版,結(jié)合軟件的圖形化設(shè)計可以直觀地獲得灰度結(jié)構(gòu)[1]


  由英國皇家科學(xué)院院士,劍橋大學(xué)Russell Cowburn教授主導(dǎo)設(shè)計研制的小型無掩膜激光直寫光刻儀(MicroWriter, Durham Magneto Optics),是一種利用圖形化DMD微鏡矩陣控制的直寫曝光光刻設(shè)備。該設(shè)備可以在無需曝光掩膜版的條件下,根據(jù)用戶研究需要,直接在光刻膠樣品表面上照射得到含有3D灰度信息的曝光圖案,為微流控、MEMS、半導(dǎo)體、自旋電子學(xué)等研究領(lǐng)域提供方便高效的微加工方案。此外,它還具備結(jié)構(gòu)緊湊(70cm × 70cm ×70cm)、高直寫速度,高分辨率(XY ~ 0.6 μm)的特點。采用集成化設(shè)計,全自動控制,可靠性高,操作簡便。目前在國內(nèi)擁有包括清華大學(xué)、北京大學(xué)、中國科技大學(xué)、南京大學(xué)等100余家應(yīng)用單位,受到廣泛的認(rèn)可和好評。


  結(jié)合MicroWriter的直寫曝光原理,通過軟件后臺控制DMD微鏡矩陣的開合時間,或結(jié)合樣品表面的曝光深度,進(jìn)而可以實現(xiàn)0 - 255階像素級3D灰度直寫。為上述相關(guān)研究領(lǐng)域內(nèi)的3D線性灰度結(jié)構(gòu)應(yīng)用提供了便捷有效的實驗方案。

“微蓮花,微祝?!眧 無掩膜激光直寫光刻儀3D灰度曝光應(yīng)用

圖1 利用MicroWriter在光刻膠樣品表面上實現(xiàn)的3D灰度直寫曝光結(jié)果,其中左上、左下為灰度設(shè)計原圖,右上、右下為對應(yīng)灰度曝光結(jié)果,右上蓮花圖案實際曝光面積為380 × 380 um,右下山水畫圖案實際曝光面積為500 × 500 μm


“微蓮花,微祝?!眧 無掩膜激光直寫光刻儀3D灰度曝光應(yīng)用

圖2 利用MicroWriter實現(xiàn)的3D灰度微透鏡矩陣曝光結(jié)果,其中SEM形貌可見其優(yōu)異的平滑側(cè)壁結(jié)構(gòu)


  廈門大學(xué)薩本棟微納米研究院的呂苗研究組利用MicroWriter的灰度直寫技術(shù)在硅基表面實現(xiàn)一系列高質(zhì)量的3D灰度圖形轉(zhuǎn)移[2],研究人員通過調(diào)整激光直寫聚焦深度以及優(yōu)化離子刻蝕工藝,獲得具有良好側(cè)壁平滑特征的任意3D灰度結(jié)構(gòu),其側(cè)壁的表面粗糙度低于3 nm,相較此前報道的其他方式所獲得的3D灰度結(jié)構(gòu),表面平滑性表現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。MicroWriter的灰度曝光應(yīng)用為包括MEMS,微納光學(xué)及微流控等領(lǐng)域的研究提供了優(yōu)質(zhì)且便捷的解決方案。


“微蓮花,微祝?!眧 無掩膜激光直寫光刻儀3D灰度曝光應(yīng)用

圖3 利用MicroWriter激光直寫在硅基表面實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移過程示意圖

“微蓮花,微祝福”| 無掩膜激光直寫光刻儀3D灰度曝光應(yīng)用

圖4 利用MicroWriter激光直寫曝光在硅基表面轉(zhuǎn)移所得的3D灰度結(jié)構(gòu)的實際測量結(jié)果與理論設(shè)計比較,其中圖a中紅色散點表示實際圖形結(jié)構(gòu)的縱向高度,黑色曲線為圖案設(shè)計結(jié)果;圖b中左為設(shè)計圖形的理論各點高度,右為實際轉(zhuǎn)移結(jié)果的SEM形貌結(jié)果,其中標(biāo)準(zhǔn)各對應(yīng)點的實際高度。綜上可以看出其表現(xiàn)出優(yōu)異的一致性

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圖5 利用AFM對拋物面硅基轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)的精確測量與分析,可以看到起側(cè)壁的表面平滑度可以小至3 nm以下,表現(xiàn)出優(yōu)異的側(cè)壁平滑性

  利用MicroWriter激光直寫曝光技術(shù),不僅可以直接制備任意形狀的硅基微納灰度結(jié)構(gòu),而且可以將制備的3D結(jié)構(gòu)作為模具、電鍍模板或犧牲層來應(yīng)用在其他材料上,如聚合物、金屬或玻璃等。這種直觀化的激光直寫技術(shù)在諸多維納器件研究領(lǐng)域中表現(xiàn)出顯著的應(yīng)用優(yōu)勢和開發(fā)前景。

  參考文獻(xiàn):

  [1] Hybrid 2D-3D optical devices for integrated optics by direct laser writing. Light Sci. Appl. 3, e175 (2014)

  [2] Fabrication of three-dimensional silicon structure with smooth curved surfaces. J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS 15(3), 034503

  相關(guān)參考:

  英國皇家科學(xué)院院士、劍橋大學(xué)教授Russell Cowburn介紹:https://www.phy.cam.ac.uk/directory/cowburnr

  相關(guān)產(chǎn)品信息:

  小型臺式無掩膜光刻機(jī)-Microwriter ML3:https://www.caigou.com.cn/product/20160315755.shtml

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激光直寫光刻儀
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