芯基微裝是一家以直寫光刻為技術(shù)核心的直接成像設(shè)備及直寫光刻設(shè)備研產(chǎn)售供應(yīng)商，主要產(chǎn)品包括pcb直接成像設(shè)備、自動(dòng)線系統(tǒng)、泛半導(dǎo)體直寫光刻設(shè)備及自動(dòng)線系統(tǒng)、其他激光直接成像設(shè)備以及上述產(chǎn)品的售后維保服務(wù)。

　　芯基微裝直寫光刻技術(shù)是采用高速實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)面掃描的直寫技術(shù)，利用大功率紫外激光或led光源，通過高效集光系統(tǒng)和勻光系統(tǒng)，照射在數(shù)字微鏡器件(dmd)上，通過數(shù)據(jù)鏈路實(shí)時(shí)產(chǎn)生動(dòng)態(tài)圖形，然后動(dòng)態(tài)圖形通過高精度、低畸變的投影曝光鏡頭直接投影至覆有感光材料的基材上，實(shí)現(xiàn)高達(dá)幾百萬束光同時(shí)進(jìn)行掃描曝光，通過空間面掃描和無縫拼接技術(shù)，高效實(shí)時(shí)地形成曝光圖形。

　　PCB直寫成像設(shè)備

　　Pcb直寫成像設(shè)備主要主要應(yīng)用于pcb制造過程中的線路層及阻焊層曝光環(huán)節(jié)。

　　在大規(guī)模pcb制造領(lǐng)域，根據(jù)曝光時(shí)是否使用底片，光刻技術(shù)可主要分為直接成像(直寫光刻在pcb領(lǐng)域一般稱為「直接成像」，對(duì)應(yīng)的設(shè)備稱為「直接成像設(shè)備」)與傳統(tǒng)曝光(對(duì)應(yīng)的設(shè)備為傳統(tǒng)曝光設(shè)備)。

　　近年來，隨著pcb下游應(yīng)用市場(chǎng)如智能手機(jī)、平板電腦等電子產(chǎn)品向大規(guī)模集成化、輕量化、高智能化方向發(fā)展，pcb制造工藝要求不斷提升，對(duì)pcb制造中的曝光精度(最小線寬)要求越來越高，多層板、HDI板、柔性版及IC載板等中高端pcb產(chǎn)品的市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)，從而推動(dòng)了直接成像技術(shù)發(fā)展不斷成熟。憑借優(yōu)異的曝光精度及良率、高效的生產(chǎn)效率以及不斷下降的設(shè)備成本，直接成像設(shè)備在中高端pcb產(chǎn)品制造中已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，成為了目前pcb制造曝光工藝中的主流發(fā)展技術(shù)。

　　在光刻精度上，pcb傳統(tǒng)曝光技術(shù)的精度只能達(dá)到50μm左右，而直寫光刻能夠?qū)崿F(xiàn)最高5μm線寬；生產(chǎn)周期上由于傳統(tǒng)曝光工藝需要底片，拉長(zhǎng)了工藝流程，生產(chǎn)周期較長(zhǎng)，而直寫成像避免了傳統(tǒng)曝光所需的底片制作流程，縮短了生產(chǎn)周期。

　　在直接成像產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期，與傳統(tǒng)曝光設(shè)備相比較，直接成像設(shè)備由于受限于生產(chǎn)效率較低以及設(shè)備售價(jià)較高，普及速度相對(duì)較慢。但近年來，隨著ldi等直接成像技術(shù)的不斷發(fā)展成熟，以上兩個(gè)方面存在的問題得到了有效的解決與改善，目前直接成像技術(shù)已經(jīng)在pcb制造領(lǐng)域得到了成熟的應(yīng)用。在生產(chǎn)效率方面，通過使用高敏感度感光材料、提高軟件數(shù)據(jù)處理能力、提高光源能量利用率以及雙臺(tái)面技術(shù)等方式，以發(fā)行人為代表的pcb直接成像設(shè)備廠商已經(jīng)能夠在保持高曝光精度的同時(shí)，將設(shè)備的生產(chǎn)效率有效提升。

　　在設(shè)備售價(jià)方面，隨著我國(guó)pcb直接成像設(shè)備的技術(shù)水平快速提升以及整個(gè)pcb產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)不斷完善，直接成像設(shè)備的生產(chǎn)成本得到了有效降低，其銷售價(jià)格與傳統(tǒng)曝光設(shè)備間的價(jià)差逐漸縮小，使得下游pcb生產(chǎn)客戶能夠有效縮減設(shè)備生命周期內(nèi)生產(chǎn)pcb產(chǎn)品的單位成本。

　　根據(jù)臺(tái)灣電路板協(xié)會(huì)(TPCA)發(fā)布的臺(tái)灣pcb產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖，2021年中高端pcb產(chǎn)品的曝光精度要求較2019年將具有明顯的提升，其中多層板最小線寬從 40μm 提升至 30μm；HDI 板最小線寬從 40μm 提升至 30μm；柔性板最小線寬從 20μm 提升至 15μm；IC 載板最小線寬從 8μm 提升至 5μm。目前，直接成像設(shè)備在pcb產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中能夠?qū)崿F(xiàn)的最小線寬已經(jīng)達(dá)到 5μm，而使用傳統(tǒng)曝光底片(銀鹽膠片)的傳統(tǒng)曝光設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)的最小線寬一般約為 50μm，無法達(dá)到上述中高端pcb產(chǎn)品大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化制造中的曝光精度需求。

　　多層板、HDI板、柔性板以及 IC載板等中高端pcb產(chǎn)品市場(chǎng)份額占比不斷提升，目前已經(jīng)占據(jù)了pcb市場(chǎng)的大部分份額。根據(jù)Prismark統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2018年全球pcb產(chǎn)品中多層板產(chǎn)值占比約為39.40%，HDI 板產(chǎn)值占比為 14.80%，柔性板產(chǎn)值占比為 19.90%，IC 載板產(chǎn)值占比為12.10%，按照臺(tái)灣電路板協(xié)會(huì)發(fā)布的pcb產(chǎn)業(yè)技術(shù)藍(lán)圖中 2019 年線寬要求50μm 以下的pcb產(chǎn)品占比已經(jīng)達(dá)到了 86.10%。在pcb產(chǎn)品不斷升級(jí)的過程中，傳統(tǒng)曝光技術(shù)在光刻精度、對(duì)位精度、生產(chǎn)效率、柔性化生產(chǎn)、自動(dòng)化水平以及環(huán)保性等方面已經(jīng)難以滿足多層板、HDI 板、柔性板、IC 載板等中高端pcb產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)需求，直接成像技術(shù)已經(jīng)成為了中高端pcb產(chǎn)品制造中的主流技術(shù)方案。隨著直接成像技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展成熟，直接成像設(shè)備的制造成本及銷售價(jià)格有望進(jìn)一步下降，其在單面板、雙面板等低端pcb領(lǐng)域中有望對(duì)傳統(tǒng)曝光設(shè)備實(shí)現(xiàn)替代，進(jìn)一步提升市場(chǎng)滲透率。

　　盡管相較傳統(tǒng)工藝直寫光刻滲透率有望提升，但是芯基微裝的營(yíng)收規(guī)模并不高，同時(shí)芯基微裝雖然披露了其中低端pcb產(chǎn)品及高端pcb產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但并未披露自身的市場(chǎng)份額情況，因此未來芯基微裝該業(yè)務(wù)的營(yíng)收增長(zhǎng)應(yīng)保守估計(jì)。

　　泛半導(dǎo)體直寫設(shè)備

　　在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，根據(jù)是否使用掩膜版，光刻技術(shù)主要分為直寫光刻與掩膜光刻。其中，掩膜光刻可進(jìn)一步分為接近/接觸式光刻以及投影式光刻。

　　直寫光刻技術(shù)能夠在計(jì)算機(jī)控制下按照設(shè)計(jì)好的圖形直接成像，容易修改且制作周期較短，成為目前泛半導(dǎo)體掩膜版制版的主流技術(shù)。其中，激光直寫光刻技術(shù)是指計(jì)算機(jī)控制的高精度激光束根據(jù)設(shè)計(jì)的圖形聚焦至涂覆有感光材料的基材表面上，無需掩膜，直接進(jìn)行掃描曝光的精密、微細(xì)、智能加工技術(shù)，主要應(yīng)用于fpd(顯示面板)制造所需的掩膜版制版及 IC 制造所需的中低端掩膜版制版領(lǐng)域。帶電粒子直寫光刻技術(shù)與激光直寫光刻技術(shù)的原理相同，只是將輻射源用帶電粒子束取代激光光束，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的光刻精度，主要應(yīng)用于 IC 制造所需的高端掩膜版制版領(lǐng)域。

　　直寫光刻技術(shù)受限于生產(chǎn)效率與光刻精度等方面因素，目前還無法滿足泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大規(guī)模制造的需求。主要原因：一是帶電粒子直寫光刻技術(shù)的生產(chǎn)效率較低，且在大規(guī)模生產(chǎn)中會(huì)產(chǎn)生較為嚴(yán)重的鄰近效應(yīng)(電子散射會(huì)導(dǎo)致電子的運(yùn)動(dòng)方向發(fā)生偏離，散射電子會(huì)超出原有的束斑尺寸范圍，對(duì)于鄰近束斑的非曝光區(qū)域，抗蝕劑層吸收了部分偏離束斑尺寸電子的能量而發(fā)生曝光)，嚴(yán)重影響圖形的分辨率及精度；二是激光直寫光刻技術(shù)受限于激光波長(zhǎng)，在光刻精度上不如電子束、離子束等帶電粒子直寫光刻技術(shù)，還無法滿足高端半導(dǎo)體器件制造的需求。

　　因此，在該領(lǐng)域芯基微裝不僅需要面臨直寫光刻技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，還需要面臨掩膜光刻領(lǐng)域強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手譬如阿斯麥、尼康以及佳能。

　　而芯基微裝該領(lǐng)域業(yè)務(wù)發(fā)展持續(xù)性受阻表明其還需要較長(zhǎng)的時(shí)間才能證明其是否具備發(fā)展泛半導(dǎo)體直寫設(shè)備的能力。

　　總結(jié)

　　總體而言，由于芯基微裝所處領(lǐng)域面臨較多的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，雖然其營(yíng)收近幾年出現(xiàn)了飛速的增長(zhǎng)，但這需要芯基微裝不斷加大研發(fā)投入保持行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)，由于芯基微裝并未披露pcb直寫光刻設(shè)備行業(yè)規(guī)模情況，是否該領(lǐng)域天花板有限呢？

　　芯基微裝雖然題材足夠亮眼，但仍然需要其用時(shí)間給出證明，屆時(shí)，才能回答其是否值得投資。