ROFIN-BAASEL Lasertech(羅芬)推出新款升級(jí)版“雙線晶硅”(Dual Line c-Si)激光處理系統(tǒng)，可在新一代PERC太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì)的量產(chǎn)中改善產(chǎn)能、降低成本。PERC和選擇性發(fā)射機(jī)工藝可在晶硅太陽(yáng)能電池上實(shí)現(xiàn)高達(dá)1%的絕對(duì)效率提升，但該技術(shù)需要對(duì)批量生產(chǎn)進(jìn)行遷移并犧牲部分產(chǎn)量作為成本。

伏創(chuàng)新聯(lián)盟(Photovoltaics Innovation Alliance)旗下的FutureFab項(xiàng)目中參與短波和短脈沖激光設(shè)備的研發(fā)，該類型的設(shè)備是減少背接觸孔形成過(guò)程中出現(xiàn)的次表層損害、優(yōu)化背表面鈍化流程。相關(guān)研究顯示，復(fù)雜的超短飛秒和皮秒激光與納秒激光脈沖在介電層激光刻蝕過(guò)程后所形成的表面結(jié)構(gòu)完全不同。然而，在BSF(背表面場(chǎng))形成之后，相關(guān)研究顯示，使用納秒綠光激光脈沖進(jìn)行的背表面鈍化開(kāi)槽而制造出的高效太陽(yáng)能電池，與使用紫外皮秒脈沖工藝具有相同的性能值水平。對(duì)于工藝流程優(yōu)化來(lái)說(shuō)較為重要的一點(diǎn)是使用強(qiáng)度為五倍于上文提及的納米激光源的工業(yè)激光的能力，從而大幅降低對(duì)每片硅片進(jìn)行激光處置的流程周期，并改善總體硅片吞吐量，這對(duì)于量產(chǎn)應(yīng)用來(lái)說(shuō)十分重要。

本產(chǎn)品可應(yīng)用于PERC電池的激光刻蝕流程中。Dual Line c-Si激光系統(tǒng)現(xiàn)已搭載了高效SHG納秒激光源，該激光源專為在不增加激光損傷的情況下進(jìn)行大型點(diǎn)直徑的制造而配置了專門光束模態(tài)。這一正在申請(qǐng)專利的工藝流程可在鈍化層進(jìn)行點(diǎn)陣開(kāi)槽，從而將掃描速度提高至20m/s以上。憑借激光可是流程周期的大幅縮短，并從而實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)成本的降低，該產(chǎn)品對(duì)于使用點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的PERC電池來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)具有重大意義的突破。Dual Line c-Si激光系統(tǒng)同時(shí)還具有“飛行加工”(on the fly)工藝，這是一套新系統(tǒng)，可在事實(shí)上減少硅片在激光處置工藝周期間的處置與傳輸時(shí)間，從而憑借高達(dá)每小時(shí)3600片的高速工藝改善生產(chǎn)力。