簡歷：中國科學院院士，南京大學電子科學與工程學院教授、博士生導師。歷任國家重點基礎研究發(fā)展計劃（973計劃）信息領域專家咨詢組副組長、國家863計劃光電子主題專家組專家、國家自然科學基金委信息科學部專家咨詢委員會委員，現(xiàn)兼任中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業(yè)委員會主任、科技部"第三代半導體材料"顧問專家組組長、國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟名譽理事長及技術委員會主、國家半導體照明研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟指導委員會委員。還兼任8個國家或省部級重點實驗室學術委員會任主任或委員、11個學術期刊編委以及6個國際學術會議顧問委員會或程序委員會委員。長期致力于半導體材料與器件物理研究，近年來主要從事寬禁帶半導體材料與器件研究。獲國家自然科學二等獎、國家技術發(fā)明二等獎和三等獎各一項、江蘇省科技進步一等獎2項、教育部自然科學一等獎2項以及其它省部級科技進步獎 7 項，還獲光華科技基金一等獎和江蘇省人才培養(yǎng)教學成果一等獎。

摘要：近些年來、半導體科學技術研究取得了諸多重大新進展，其中最引人注目的是上個世紀九十年代后期GaN和SiC寬禁帶半導體材料研究的突破，開拓創(chuàng)新發(fā)展了新一代半導體技術，即“寬禁帶半導體技術”。 由于這種寬禁帶半導體技術不同于以Ge、Si元素半導體為代表的第一代半導體技術和以GaAs、InP化合物半導體為代表的第二代半導體技術，因此又被稱作為“第三代半導體技術”?；贕aN、SiC寬禁帶半導體獨特材料性能所發(fā)展起來的第三代半導體技術是一種具有極端電、光性能和能耐惡劣環(huán)境的“高能效低功耗半導體技術”，它有望突破第一代、第二代半導體在光電子技術、電力電子和射頻功率電子等領域應用發(fā)展面臨的材料物理極限，滿足當代科學技術、經(jīng)濟社會發(fā)展的迫切需求，有力支撐應對能源與環(huán)境面臨的嚴峻挑戰(zhàn)、以互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能為標志的新一代信息技術的可持續(xù)發(fā)展和現(xiàn)代高新技術及其產(chǎn)業(yè)發(fā)展的迫切需求，受到了世界各國高度重視，成為當前半導體相關科學技術領域研發(fā)的熱點。

近年來，第三代半導體技術發(fā)展日新月異，并已形成了蓬勃發(fā)展的“高效固態(tài)光源”、“固態(tài)紫外探測”、“寬禁帶電力電子”和“寬禁帶射頻功率電子”等領域的新興產(chǎn)業(yè)，開拓了廣泛應用，為當代科學技術、經(jīng)濟社會發(fā)展扮演了重要角色。本報告介紹基于GaN、SiC為代表發(fā)展起來的第三代半導體技術及其在現(xiàn)代科學技術中的應用現(xiàn)狀和發(fā)展前景。

報告題目：第三代半導體及其在現(xiàn)代高科技中的應用