簡歷：中國科學(xué)院院士，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師。歷任國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃（973計劃）信息領(lǐng)域?qū)＜易稍兘M副組長、國家863計劃光電子主題專家組專家、國家自然科學(xué)基金委信息科學(xué)部專家咨詢委員會委員，現(xiàn)兼任中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會主任、科技部"第三代半導(dǎo)體材料"顧問專家組組長、國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟名譽理事長及技術(shù)委員會主、國家半導(dǎo)體照明研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟指導(dǎo)委員會委員。還兼任8個國家或省部級重點實驗室學(xué)術(shù)委員會任主任或委員、11個學(xué)術(shù)期刊編委以及6個國際學(xué)術(shù)會議顧問委員會或程序委員會委員。長期致力于半導(dǎo)體材料與器件物理研究，近年來主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究。獲國家自然科學(xué)二等獎、國家技術(shù)發(fā)明二等獎和三等獎各一項、江蘇省科技進步一等獎2項、教育部自然科學(xué)一等獎2項以及其它省部級科技進步獎 7 項，還獲光華科技基金一等獎和江蘇省人才培養(yǎng)教學(xué)成果一等獎。

摘要：近些年來、半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)研究取得了諸多重大新進展，其中最引人注目的是上個世紀九十年代后期GaN和SiC寬禁帶半導(dǎo)體材料研究的突破，開拓創(chuàng)新發(fā)展了新一代半導(dǎo)體技術(shù)，即“寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)”。 由于這種寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)不同于以Ge、Si元素半導(dǎo)體為代表的第一代半導(dǎo)體技術(shù)和以GaAs、InP化合物半導(dǎo)體為代表的第二代半導(dǎo)體技術(shù)，因此又被稱作為“第三代半導(dǎo)體技術(shù)”?；贕aN、SiC寬禁帶半導(dǎo)體獨特材料性能所發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體技術(shù)是一種具有極端電、光性能和能耐惡劣環(huán)境的“高能效低功耗半導(dǎo)體技術(shù)”，它有望突破第一代、第二代半導(dǎo)體在光電子技術(shù)、電力電子和射頻功率電子等領(lǐng)域應(yīng)用發(fā)展面臨的材料物理極限，滿足當代科學(xué)技術(shù)、經(jīng)濟社會發(fā)展的迫切需求，有力支撐應(yīng)對能源與環(huán)境面臨的嚴峻挑戰(zhàn)、以互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能為標志的新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展和現(xiàn)代高新技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)發(fā)展的迫切需求，受到了世界各國高度重視，成為當前半導(dǎo)體相關(guān)科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域研發(fā)的熱點。

近年來，第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展日新月異，并已形成了蓬勃發(fā)展的“高效固態(tài)光源”、“固態(tài)紫外探測”、“寬禁帶電力電子”和“寬禁帶射頻功率電子”等領(lǐng)域的新興產(chǎn)業(yè)，開拓了廣泛應(yīng)用，為當代科學(xué)技術(shù)、經(jīng)濟社會發(fā)展扮演了重要角色。本報告介紹基于GaN、SiC為代表發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體技術(shù)及其在現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展前景。

報告題目：第三代半導(dǎo)體及其在現(xiàn)代高科技中的應(yīng)用