熱壓成型奈米壓印(Hot Embossing Nano-Imprint Lithography)的原理，分為兩個基本的步驟1.在基板上涂布上一層被壓印成型的熱塑性高分子，例如PMMA、PS，當(dāng)模具壓印在高分子層時開始加熱，加熱至玻璃轉(zhuǎn)換溫度之上，此時在玻璃轉(zhuǎn)換溫度之上的高分子材料會變成有黏滯性的液體，利用此特性填充模穴后待溫度降至室溫，在進行脫模的動作2.在脫模后，將轉(zhuǎn)印在基板上的圖案使用反應(yīng)離子刻蝕(Reactive-Ion Etching，RIE)，以去除壓印時所壓縮后的部分，蝕刻至基板，再將多余的高分子去除后就完成奈米壓印[8]，壓印流程圖如圖1所示。 

圖1. 熱壓成型奈米壓印流程圖

壓印的過程中，高分子受到高溫的加熱，加熱到玻璃轉(zhuǎn)換溫度之上，此時熱塑性高分子會變成黏稠狀可流動性的液體，利用此特性在模具與高分子層接觸時加壓，熱塑性高分子填充模具，使熱塑性高分子在冷卻時脫模能夠形成與模具相同的圖案。

2.       滾輪式奈米壓印

滾輪式奈米壓印(Roller nanoimprint lithography)[9]的原理與熱壓成型奈米壓印機相差在模具的樣式與壓印的方式不同，滾輪式奈米壓印分為兩種壓印方式如圖2所示，第一種方式是在滾筒的光滑表面上纏繞著奈米結(jié)構(gòu)的金屬薄膜，滾子壓印在熱塑性高分子薄膜上轉(zhuǎn)動，形成與滾子上的金屬結(jié)構(gòu)相同的圖案，第二種方法與熱壓成型奈米壓印相差給予壓力的方式，熱壓成型奈米壓印以大面積接觸的方式下壓，滾輪式奈米壓印利用滾輪的幾何形狀與模具線接觸的方式給予壓力。壓印結(jié)束后同樣以RIE的方式，去除被壓縮的部分蝕刻至基板，得到再基板所要的結(jié)構(gòu)。

圖2. 滾輪式奈米壓印兩種方式(a)滾子上的金屬薄膜結(jié)構(gòu)壓印高分子(b)模具放置高分子材料之上，以滾子加壓

3.      外光硬化成型奈米壓印

紫外光硬化成型奈米壓印(UV-CuredNanoimprint Lithography)[10]原理以圖3流程圖所示，以一個透明模具作為模仁，例如石英玻璃、PDMS，在基板上涂布光敏性高分子，例如SU-8，以此為蝕刻時的阻擋層，光阻一般為為液態(tài)所以不需加熱就可以做壓印，但加熱能夠增加光阻的流動性，使壓印效果更佳，模具壓印至光阻層后進行曝光固化，曝光約90秒后脫模，最后進進行RIE得到所要的圖案。

圖3. 紫外光硬化成型奈米壓印流程圖

實驗方法

本實驗以熱壓成型奈米壓印的方法壓印鋸齒狀光柵（如圖1），模具使用的是由Edmund Optics公司所購買的鋁薄膜直紋繞射光柵，以150、600line/mm的周期做壓印參數(shù)的實驗，以PDMS做為150、600line/mm的軟模，轉(zhuǎn)印后將PDMS模具于自制奈米壓印機做壓印流程，以不同壓力相同的溫度探討壓印時與壓力的關(guān)系。

實驗所采用的基板為一般玻璃，在玻璃上浸鍍高分子為被轉(zhuǎn)印的材料，再以自制的奈米壓印機壓印，所被轉(zhuǎn)印的材料為: 聚苯乙烯(Polystyrene, PS)材質(zhì)，線膨脹系數(shù)為：7*10-5cm/cm*℃，是指固態(tài)物質(zhì)當(dāng)溫度改變攝氏度1度時，其長度的變化和它在0℃時的長度的比值，成形收縮率：0.1%~0.6%，是指塑料材質(zhì)自模具中取出冷卻到室溫后，室溫尺寸的縮小值對其原未冷卻尺寸的百分率，玻璃轉(zhuǎn)換溫度（Glass Transition Temperature，Tg）為:105°C，是指高分子材料在常溫下為固態(tài)，則高分子材料溫度到達玻璃轉(zhuǎn)換溫度時，熱塑性高分子會變成可流動性的液體。

本實驗以浸鍍機浸鍍的方式在玻璃基板上涂布PS薄膜，將PS高分子以溶劑溶解成溶液，以載具夾持玻璃基板，浸入PS溶液燒杯中靜置5秒后，以15mm/min的速率浸鍍。

本實驗所用的輸出壓力之氣壓缸為金器工業(yè)公司所制造的MCDA-23-32-100雙軸倍力缸，壓力缸最小的輸出為0.05Mpa，所以本實驗以固定150°C的溫度，分別對于0.05~0.15Mpa每組間隔為0.01，以不同的壓力壓印150、600line/mm的周期做為壓力的討論。

在實驗量測上我們使用Taylor Hobson公司所制造的PGI 840 (Aspherics Measuring System)與Veeco公司所制造的diDimension 3100 (Scanning Probe Microscope SPM system)，量測模具尺寸與壓印之后的結(jié)構(gòu)狀況與尺寸，我們以儀器軟件經(jīng)過分析后量測結(jié)構(gòu)尺寸，每一組的實驗數(shù)據(jù)都是量測五次取平均值，最后在對這五筆的數(shù)據(jù)做誤差線，可以更清楚的知道所壓印的質(zhì)量穩(wěn)定性。

結(jié)果與討論

1.      壓印150line/mm結(jié)果

圖4所示為150line/mm模具使用非球面量測系統(tǒng)量測的輪廓圖。

圖4. 為150 line/mm之模具輪廓，周期約為6.6um深度約為0.22um 

實驗結(jié)果圖5所示。圖5(a)~(b)分別為150line/mm，以0.05~0.15Mpa的壓力所呈現(xiàn)周期與深度關(guān)系的趨勢圖與標(biāo)準(zhǔn)誤差，從圖5(a)壓力在0.15Mpa時結(jié)構(gòu)的寬度明顯的發(fā)現(xiàn)寬度變寬，我們在顯微鏡底下發(fā)現(xiàn)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了變形扭曲的狀況，如圖5(c)所示，因此判斷可能是在0.15Mpa在150line/mm的結(jié)構(gòu)已達到目前結(jié)構(gòu)在制程上最大壓力范圍。

圖5(a). 為150line/mm壓力與周期的關(guān)系圖

圖5(b). 為150line/mm壓力與深度的關(guān)系圖

圖5(c). 使用光學(xué)顯微鏡在1000倍下量測，發(fā)現(xiàn)使用0.15Mpa壓印結(jié)構(gòu)有扭曲變形的現(xiàn)象

2.      壓印600line/mm結(jié)果

圖6所示為600line/mm模具使用原子力顯微鏡量測實際尺寸。圖7(a)~(b)分別為600line/mm，以0.05~0.15Mpa的壓力所呈現(xiàn)周期與深度關(guān)系的趨勢圖與標(biāo)準(zhǔn)誤差，圖7(a)~6(b)所示在0.07與0.09Mpa在寬度的部分比其他的參數(shù)寬約100nm與0.09與0.15Mpa的深度明顯的比其他壓力來的淺，這是目前使用模具本身的誤差或是在制程上所會造成的誤差范圍。

圖6. 為600 line/mm之模具輪廓，周期約為1.8um深度約為131.47nm 

圖7(a). 為600line/mm壓力與周期的關(guān)系圖 

圖7(b). 為600line/mm壓力與深度的關(guān)系圖 

結(jié)論

就目前壓印150line/mm的實驗結(jié)果來看，不同的壓力對于周期與深度并沒有很敏顯的落差，但在0.15Mpa時周期突然擴大，深度卻沒有發(fā)生太大的變化，對于這部分我們做了三次同樣的實驗的壓印都是得到相同的結(jié)果，因此我們認(rèn)為在這部分可能是到達150line/mm的最大壓印力的范圍。

以600line/mm的實驗結(jié)果來看，以0.05~0.15Mpa的壓力都是在壓印的容許范圍，同樣在0.15Mpa的壓力下壓印600line/mm，600line/mm的壓印結(jié)構(gòu)并沒有產(chǎn)生扭曲變形的問題，如圖8所示。

未來若要往奈米結(jié)構(gòu)下壓印和溫度的探討或是要更進一步優(yōu)化奈米壓印機，應(yīng)已實驗數(shù)據(jù)搭配田口法的方式做優(yōu)化的分析。

圖8. 600line/mm在0.15Mpa的壓力下與圖3(c) 在1000倍下量測相比，600line/mm并沒有出現(xiàn)結(jié)構(gòu)扭曲過變形的狀況

參考文獻

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2.吳昌侖、張景學(xué)，半導(dǎo)體制造技術(shù)(第二版)，新北市：新文京開發(fā)出版，2006。

3.莊達人，VLSI制造技術(shù)，新北市：高立圖書有限公司，2007。

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5.S. Y. Chou,P. R. Krauss, P. J. Renstrom, “Nanoimprint lithography”, Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena.Vol. 14,pp. 4129-4133,1996.

6.Bender, M. Otto, B. Hadam, B. Vratzov, B. Spangenberg, and H. Kurz, “Fabrication of nanostructures using a UV-based imprint technique” Microelectron. Eng.Vol. 53, pp. 233-236,2000.

7.Tan, Hua, Andrew Gilbertson, and S. Y. Chou. "Roller nanoimprint lithography." Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena Vol. 16, pp. 3926-3928,1998.

8.Chou, S. Y., Krauss, P. R. and Renstrom, P. J., “ Nanoimprint lithography ,” J. Vac. Sci. Technol. B, Vol. 14, No. 6, pp. 4129-4133, 1996

9.Hua Tan, Andrew Gilbertson, Stephen Y. Chou, Roller nanoimprint lithography, Journal of Vacuum Science & Technology B, 16(6), pp.3926-3928, 1998.

10.    Bender, M. Otto, B. Hadam, B. Vratzov, B. Spangenberg, and H. Kurz, “Fabrication of nanostructures using a UV-based imprint technique” Microelectron. Eng.Vol. 53, pp. 233-236,2000.