一維納米結(jié)構(gòu)因其特殊的物理化學(xué)性能以及在光電器件上的潛在應(yīng)用而受到科研人員的廣泛關(guān)注。武漢光電國(guó)家實(shí)驗(yàn)室納米能源技術(shù)與功能納米器件團(tuán)隊(duì)的沈國(guó)震教 授領(lǐng)導(dǎo)的課題組與美國(guó)南加州大學(xué)電子工程系周崇武教授的小組合作，圍繞一維納米結(jié)構(gòu)的組裝、光電器件的設(shè)計(jì)等科學(xué)問(wèn)題，開(kāi)展了一維納米結(jié)構(gòu)的制備、器件制 造工藝等探索研究，取得了一系列研究進(jìn)展。
        該課題組通過(guò)采用改進(jìn)的激光燒蝕輔助化學(xué)氣相沉積法，在鍍金的硅片上生長(zhǎng)了螺旋狀的In2O3納米線。研究發(fā)現(xiàn)所得到的納米線是由多節(jié)的納米線連接卷曲而 成的。由于立方相In2O3中存在+（001）和-(001)的極性面，因此由于極性面的誘導(dǎo)造成納米線的卷曲而生成螺旋狀的納米線。該材料顯示了非常快 的光誘導(dǎo)表面浸潤(rùn)性變化，在紫外光的照射下，水滴在材料表面的接觸角在14分鐘內(nèi)由132.7度（疏水性）迅速降低為0度（親水性）。這一過(guò)程比其已見(jiàn)發(fā) 表的報(bào)道快了將近30倍。以螺旋狀的In2O3納米線為活性層材料研制的場(chǎng)效應(yīng)晶體管顯示了優(yōu)異的性能，其電子遷移率可達(dá)243cm2/vs。該研究成果 于2011年2月18日正式發(fā)表在美國(guó)化學(xué)會(huì)期刊ACS Nano的網(wǎng)絡(luò)在線版上。
                

       全透明電子學(xué)是近年來(lái)研究比較熱門(mén)的領(lǐng)域之一。它在透明顯示技術(shù)、透明超級(jí)電容器、紫外光探測(cè)器及太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域有著非常廣泛的應(yīng)用前景。全透明電子學(xué) 的發(fā)展離不開(kāi)高性能納米材料的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用。采用氣相沉積法，研究人員制備了點(diǎn)綴Ag納米粒子的單晶ZnO納米線，并用光刻技術(shù)研制了基于單根納米線的晶體 管器件。發(fā)現(xiàn)該材料顯示了良好的金屬性能，其電阻率可低至6.8×10-4 Ωcm，擊穿電流密度可高達(dá)4.5×107 A/cm2。該材料有望取代ITO材料，用來(lái)研制透明導(dǎo)電薄膜。該工作發(fā)表在Journal of Physical Chemistry C (2010，114，21088－21093)。
        該研究組還利用快速升溫氣體捕捉技術(shù)，在不依靠外延技術(shù)的條件下，在普通硅基片上生長(zhǎng)了雙晶In2O3納米帶陣列。以此為活性物質(zhì)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電子遷 移率為20-70 cm2/Vs。在254nm的紫外光照射下，器件的導(dǎo)電性有很大的提高。有望在高性能紫外光探測(cè)器上得到應(yīng)用。