納米復(fù)合磁電材料復(fù)合與塊體復(fù)合差不多，其結(jié)構(gòu)很相似，只是復(fù)合的尺度大小不同。納米復(fù)合是在納米尺度范圍內(nèi)的復(fù)合，這就造就了納米復(fù)合材料的特殊性能。相比于塊體磁電復(fù)合材料，納米復(fù)合磁電材料具有一些獨特的優(yōu)越性：

 　　(1)復(fù)合材料組分相的比例可以在納米尺度上進行修改和控制，可以在納米尺度范圍內(nèi)直接研究磁電效應(yīng)的微觀機理。 　　

(2)塊體材料中相之間的結(jié)合是通過共燒或者粘接的方式相結(jié)合的，其界面損耗是一個不容忽視的問題，而在薄膜中町實現(xiàn)原子尺度的結(jié)合，可以有效降低界面耦合損失。

　　(3)納米磁電復(fù)合薄膜的制備為控制晶格應(yīng)力、缺陷等方面提供了更大的自由，可獲得高度擇優(yōu)取向甚至超晶格復(fù)合薄膜，更有利于研究磁電耦合的微觀機理。

　　在納米尺度下研究納米復(fù)合磁電薄膜，其技術(shù)町以很容易地移植到半導(dǎo)體工藝中，用于制造集成磁／電器件。 納米復(fù)合材料的連通性主要分為3大類，一類是納米顆粒磁電材料，一種是納米柱狀磁電材料，還有一種是納米層狀磁電材料。隨著近年薄膜制備經(jīng)驗和技術(shù)的積累，使得制備優(yōu)質(zhì)復(fù)雜結(jié)構(gòu)的復(fù)合薄膜成為可能。由于磁電復(fù)合薄膜涉及兩相多種成分的復(fù)合，比較常見的制備方法是使用激光脈沖沉積法。

　　激光脈沖沉積(PLD)就是將激光瞬間聚焦于靶材上一塊較小面積上，利用激光的高能量密度將激光照射處的靶材蒸發(fā)甚至電離，使其原子脫離靶材向基板運動，在溫度較低的基板上沉積，從而達到成膜目的的一種手段。由于脈沖激光的高加熱速率，晶體膜的激光沉積比其他薄膜生成技術(shù)要求的基板溫度更低。但是PLD也有一個嚴重的問題，薄膜容易被濺污。濺射出來的大微粒將阻礙隨后薄膜的形成，會影響薄膜的性能。