該系列模塊封裝技術采用了華光光電 戰(zhàn)略性項目研究成果，通過了山東省信息技術與信息化科技成果鑒定。300W、500W、1000W 宏通道模塊在連續(xù)電流測試下的最大輸出功率分別達360W、750W、1200W，對應的能量遠超脫毛應用 的需求，波長－電流漂移系數(shù)達0．15nm／A，已經(jīng)達到業(yè)界領先水平，見圖1和圖2

 

 

圖1 300W、500W、100W金錫封裝宏通道半導體激光模塊

 

 

圖2 500W金錫封裝宏通道半導體激光模塊測試圖

 

根據(jù)客戶和實際應用的需求，華光光電對該系列激光模塊可提供高性價比的光束整形方案，實現(xiàn)方形光斑輸出，提高能量密度及均勻性分布，見圖3。

 

整形前

 

整形后

 

進一步處理后

 

圖3 金錫封裝宏通道半導體激光模塊光束整形

 

作為激光模塊的核心部件巴條，目前國產(chǎn)化較低，市場上大部分模塊使用進口巴條，供貨量、供貨周期無法得到保證，尤其最近美國禁止為中興供應芯片事件的發(fā)生更是讓中國半導體行業(yè)驚出一身冷汗，所以為防止類似事件再次發(fā)生，華光 光電在該系列激光模塊產(chǎn)品中使用了自產(chǎn)的100W和60W巴條（參考圖4），該產(chǎn)品來源于華光光電的國家863項目－高功率808nm非對稱無鋁應變量子阱激光器成果轉(zhuǎn)化。100W巴條在連續(xù)電流測試下輸出功率達142W＠135A，斜率效率1．16W／A，電光轉(zhuǎn)換效率50％（參考圖5，從圖中可以看出，在135A電流下巴條的輸出光功率并沒有出現(xiàn)明顯的熱飽和現(xiàn)象，只是受限于電源線的電流承受能力，所以沒有繼續(xù)測試），863項目核心技術對產(chǎn)品質(zhì)量和供貨能力提供了強有力的保障。

 

100W巴條

 

  60W巴條

 

圖4 華光光電 100W和60W巴條

 

 

100W 巴條 P－I 曲線

 

圖5 100W巴條P－I曲線圖

 

華光光電開發(fā)的醫(yī)療美容用金錫封裝宏通道半導體激光模塊性能優(yōu)良，并成功推向市場，在大功率芯片國產(chǎn)化的道路上邁出了堅實的一步，華光光電 會致力于研發(fā)種類更多、功率更高的大功率芯片、巴條，并在激光器件上投入使用，引領芯片及激光器件國產(chǎn)化潮流。