第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍，在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱雽?dǎo)體材料。

氮化鎵GaN已在消費(fèi)電子率先突破，中高壓領(lǐng)域或后來(lái)居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作電壓在1000V以下，成本在1美金左右。氮化鎵GaN功率器件在低壓領(lǐng)域（0-900V）率先商用，替代傳統(tǒng)的硅基功率器件。更有實(shí)驗(yàn)室宣布最新工作電壓可達(dá)1200V的硅基GaN外延片，如若該技術(shù)商業(yè)化順利，1000V以上中高壓領(lǐng)域，硅基GaN也有可能獲得一部分市場(chǎng)份額。

新能源汽車(chē)為碳化硅SiC的最重要應(yīng)用領(lǐng)域，如主驅(qū)逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、車(chē)載充電機(jī)和充電樁等。相較于硅基IGBT，碳化硅SiC MOSFET電動(dòng)車(chē)的續(xù)航里程更長(zhǎng)。EPA城市路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，將節(jié)省77%的能量損耗。EPA高速路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，節(jié)省85%的能量損耗。能耗節(jié)省直觀(guān)增加車(chē)輛續(xù)航里程，使用碳化硅SiC MOSFET的電動(dòng)車(chē)比使用硅基IGBT電動(dòng)車(chē)將增加5-10%的續(xù)航里程。

目前我國(guó)廠(chǎng)商已布局第三代半導(dǎo)體的設(shè)備、襯底、外延和器件全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，包括難度最大的襯底長(zhǎng)晶環(huán)節(jié)，自動(dòng)化程度較高的外延環(huán)節(jié)和應(yīng)用于下游市場(chǎng)的器件環(huán)節(jié)。整體來(lái)看我國(guó)第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力較強(qiáng)。

氮化鎵GaN單晶生長(zhǎng)困難問(wèn)題有何良策？

氮化鎵GaN何時(shí)可提升其射頻市場(chǎng)的滲透率？

碳化硅良率提升問(wèn)題如何解決？

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更多您關(guān)心的第三代半導(dǎo)體盡在12月9日 深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館)“ 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇 ”誠(chéng)邀您聽(tīng)會(huì)交流

 同期峰會(huì)預(yù)告：

2021第四屆“5G&半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)高峰會(huì) 

時(shí)間：2021年12月8下午13:30-17:30日   地點(diǎn)：深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安）

觀(guān)聽(tīng)請(qǐng)聯(lián)絡(luò)：13543266785 賈小姐