碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件?？其J碳化硅ZFET? MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統(tǒng)硅器件相比，可實(shí)現(xiàn)更高的能源效率。

功率模組通常將MOSFET和二極管等一系列分立功率開(kāi)關(guān)器件封裝在一個(gè)獨(dú)立的集成封裝內(nèi)，可應(yīng)用于三相工業(yè)電源、通訊電源系統(tǒng)以及太陽(yáng)能和風(fēng)能系統(tǒng)中功率逆變器等高壓電力電子應(yīng)用領(lǐng)域。在傳統(tǒng)MOSFET封裝技術(shù)中，長(zhǎng)引線中的寄生電感會(huì)限制碳化硅MOSFET的轉(zhuǎn)換性能。通過(guò)使用科銳替代型裸芯片，電路設(shè)計(jì)人員能夠充分利用碳化硅技術(shù)轉(zhuǎn)換性能的優(yōu)勢(shì)，有效地降低封裝中寄生電感的影響。

科銳副總裁兼功率和射頻(RF)產(chǎn)品研發(fā)部門總經(jīng)理Cengiz Balkas表示：“隨著全面符合標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅MOSFET作為未封裝芯片的運(yùn)用，電源模組制造商能夠充分了解到碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì) - 實(shí)現(xiàn)更好的高溫操作條件，更高的開(kāi)關(guān)頻率以及更低的開(kāi)關(guān)損耗，并且能夠擺脫傳統(tǒng)分立器件塑料封裝所帶來(lái)的局限。電力電子模組中碳化硅功率器件的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)在于能夠以更少的器件實(shí)現(xiàn)更高的電流和電壓，從而實(shí)現(xiàn)最大功率密度以及更高的可靠性。”

Balkas同時(shí)表示：“電源模組制造商可將科銳1200V MOSFET功率器件和肖特基二極管以芯片的形式相結(jié)合，創(chuàng)造一個(gè)專為超高功效電力電子系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的‘全碳化硅’模組。這些新型模組能夠充分體現(xiàn)碳化硅材料優(yōu)勢(shì)，可實(shí)現(xiàn)零反向恢復(fù)損耗、不受溫度影響的開(kāi)關(guān)、低電磁干擾下高頻運(yùn)行，以及更高電子雪崩能力，其開(kāi)關(guān)頻率較傳統(tǒng)以硅為材料的解決方案可高出5倍至8倍。在更高開(kāi)關(guān)頻率下可使用較小磁性和電容性的元件，從而可以縮減系統(tǒng)體積、降低重量和成本。”

科銳新型MOSFET系列功率器件目前已發(fā)布兩個(gè)型號(hào)CPMF-1200-S080B封裝尺寸為4.08 mm × 4.08 mm，額定電壓/電流為1200 V / 20 A，標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻為80 mΩ;CPMF-1200-S160B的封裝尺寸為3.1 mm × 3.1 mm，額定電壓/電流為1200 V / 20 A，標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻為160 mΩ。兩款器件的工作結(jié)溫均為-55 °C至+135 °C。

科銳兩款1200V MOSFET裸芯片已經(jīng)發(fā)布并能夠量產(chǎn)使用，客戶可通過(guò)科銳以及科銳無(wú)線射頻(RF)代理商Semi Dice了解器件的供貨情況。科銳已發(fā)布產(chǎn)品說(shuō)明以及包括對(duì)芯片鍵合等詳細(xì)的設(shè)計(jì)指導(dǎo)建議，以幫助電源模組制造商使用新器件并優(yōu)化設(shè)計(jì)。同時(shí)，科銳十分愿意為客戶提供碳化硅MOSFET器件模型以幫助其進(jìn)行初期模擬仿真及評(píng)估。如欲下載科銳模型，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.cree.com/power/mosfet_model_req.asp. 如需索取樣品及進(jìn)一步了解科銳碳化硅功率器件的更多詳情，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.cree.com/power。

在過(guò)去20多年中，科銳一直是碳化硅 MOSFET領(lǐng)域公認(rèn)的領(lǐng)先者，擁有超過(guò)50項(xiàng)碳化硅MOSFET技術(shù)專利，同時(shí)還有多項(xiàng)專利正在申請(qǐng)中。