1）高平均功率密度激光棒（晶體棒）

目前用于工業(yè)加工的激光器主要是CO2激光器和Nd：YAG激光器，由于采用了高功率的半導體激光器作為泵浦源，在結(jié)構(gòu)上采用多棒串接組合系統(tǒng)，以及發(fā)展了板條激光器和筒形激光器等新結(jié)構(gòu)系統(tǒng)，使得Nd：YAG激光器輸出達到千瓦級高平均功率密度。

在石榴石基質(zhì)上已發(fā)展了優(yōu)質(zhì)大尺寸的釔鎵石榴石 Nd:Gd3Ga5O12(Nd:GGG)，它比YAG易于生長并較適于激光二極管泵浦。

2）可調(diào)諧激光棒（晶體棒）

可調(diào)諧激光晶體借助過渡金屬離子d-d 躍遷易受晶格場影響的特點而使其激光波長在一定范圍內(nèi)可以調(diào)諧。

Cr3+:LiCaAlF6 和 Cr3+:LiSrAlF6是目前最好的摻 Cr3+ 的可調(diào)諧激光晶體，調(diào)諧范圍為0.78~1.01um 。這兩種晶體前者力學性能好，后者激光性能好。Cr3+ :MgSiO4是熒光寬度最寬（680~1400 um）的可調(diào)諧晶體。

摻過渡金屬離子的可調(diào)諧激光器

Ti3+：Al2O3、BeAl2O4 ；

Cr3+：Cr3+: BeAl2O4、Be3Al2Si6O18、KZnF3、ZnWO4、 Y3Ga5O12、 Gd3Ga5O12、 Gd3Sc2Al2O12、Y2Sc2Ga3O12、Gd3Sc2Ga3O12、La3Lu2Ga3O12 。

CO2+：MgF2、KMgF3、KZnF3、ZnF3 ；

Ni2+：MgO、CaY2Mg2GeO12、KMgF3、MgF2、MnF2。

3）新波長激光棒（晶體棒）

波長在2~3 um 的中紅外晶體，如Er1.5Y1.5Al5O12 (2.94um)，由于此波長對水的吸收系數(shù)為1（對比1.06 um只有10-4），因此3um 激光器在醫(yī)學上有廣泛應用。

4）半導體激光器和小型激光器用激光晶體

半導體超晶格，量子阱材料在光電子技術(shù)中的一個重要應用就是制作半導體量子阱激光器（QWLD）。QWLD因具有效率高（60%），體積小，可靠和優(yōu)廉等優(yōu)點而獲得廣泛應用。20世紀80年代以來發(fā)展很快，商用QLWD已覆蓋630~2000 nm波段。

半導體激光晶體：AlGaAs、InGaAiP、InGaAs、InGaAs、InGaAsP、InGaAsP。

5）混合無序結(jié)構(gòu)氟化物激光棒（晶體棒）

5NaF˙9YF3、CaF2-SrF2、CaF2-YF3、Ca2Y3F13、CaF2-LaF3、CaF2-CeO2 、CaF2-CeO2、CaF2-GdF3、CaF2-ErF3、SrF2-YF3、Sr2Y5F15、SrF2-LaF3、SrF2-GdF3、SrF2-Luf3 。