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激光器
與CMOS工藝兼容的硅基鍺錫激光器
星之球激光 來源:國防科技信息網(wǎng)2015-11-27 我要評論(0 )
德國于利希研究中心領(lǐng)導(dǎo)、由一些歐洲研究結(jié)構(gòu)和大學(xué)組成的研究小組,將會在2015IEEE國際電子器件會議上(該會議將于12月7日至9日在華盛頓召開)發(fā)布硅基直接帶隙鍺錫微...
德國于利希研究中心領(lǐng)導(dǎo)、由一些歐洲研究結(jié)構(gòu)和大學(xué)組成的研究小組,將會在2015IEEE國際電子器件會議上(該會議將于12月7日至9日在華盛頓召開)發(fā)布硅基直接帶隙鍺錫微腔激光器,該激光器的激射波長為2.5um,輸出功率為221KW/cm2。
該激光器采用厚度為560nm且生長在鍺緩沖層/硅襯底上的鍺錫外延材料,由標(biāo)準(zhǔn)的CMOS兼容工藝制造,并單片集成在硅平臺上。激光器的激射歸功于應(yīng)變引起的直接帶隙外延層和微腔結(jié)構(gòu)。這個研究工作克服了光子集成中CMOS工藝兼容的光源制備這一大難點,是硅光子集成的一個重要步驟。
該激光器的制備工藝如下:外延生長后,采用干法刻蝕刻出微腔結(jié)構(gòu),然后用四氟化碳等離子體刻蝕出底部支柱,再淀積三氧化二鋁作為鈍化層。在這個過程中,微腔邊緣的應(yīng)力釋放有助于提高激光器性能。
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