閱讀 | 訂閱
閱讀 | 訂閱
芯片/顯示

海內(nèi)外五所高校著手UV-LED相關(guān)研究 誰更領(lǐng)先?

星之球激光個(gè) 來源:中國(guó)照明電器2016-01-21 我要評(píng)論(0 )   

UV-LED單個(gè)芯片面積小,便于靈活設(shè)計(jì);但相應(yīng)的是單個(gè)芯片的輻射功率也較低,在很多應(yīng)用中難以滿足高輻射功率密度的要求,這也是目前UV-LED在眾多領(lǐng)域很難替代UV放電燈...

UV-LED單個(gè)芯片面積小,便于靈活設(shè)計(jì);但相應(yīng)的是單個(gè)芯片的輻射功率也較低,在很多應(yīng)用中難以滿足高輻射功率密度的要求,這也是目前UV-LED在眾多領(lǐng)域很難替代UV放電燈的重要原因之一。

因此,隨著UV-LED的發(fā)展,其封裝和系統(tǒng)設(shè)計(jì)也成為關(guān)注的焦點(diǎn)。

德國(guó)kit大學(xué)

德國(guó)KIT大學(xué)的Schneider等提出了一種高功率密度的UV-LED模組,將98個(gè)395nm的LED芯片密集封裝在陶瓷基板上,可以實(shí)現(xiàn)較高的輻射功率密度。

最初98個(gè)LED芯片通過銀膠封裝在氧化鋁陶瓷基板上,如圖所示。

 

模組結(jié)構(gòu)

單顆LED芯片輸入電功率為1.65W,工作電流500mA,結(jié)溫25℃,輸出輻射功率為375mW。98個(gè)芯片串聯(lián),整個(gè)模組的最大輸入功率為162W,封裝面積為2.11cm2 ,熱功率密度達(dá)到59.2W/cm2 。

風(fēng)冷條件下的特征測(cè)試結(jié)果顯示,在輸入功率120W、工作電流400mA狀態(tài)下,模組發(fā)出的紫外波長(zhǎng)為397nm,輻射功率密度為13.1W/cm2 。

而熱學(xué)仿真結(jié)果表明,假如提高該模組的散熱特性,輻射功率密度預(yù)計(jì)可以達(dá)到20.8W/cm2 。為此,設(shè)計(jì)了一個(gè)表面微型散熱器,如圖所示。

 

表面微型制冷器

該散熱器基于層流條件下熱傳導(dǎo)的微通道較短的原理,眾多短小的微通道相互并聯(lián),以提高熱傳導(dǎo)的面積,并采用水作為冷卻液。

采用塑料制成的該結(jié)構(gòu)散熱器的熱通量達(dá)500W/cm2 ,采用鋁或氧化鋁陶瓷等熱阻更低的材料時(shí),該散熱器的熱通量預(yù)計(jì)能夠達(dá)到800W/cm2 ,因此可以有效提高LED模組的散熱性能。

隨后,采用厚膜印刷的鋁基板來代替陶瓷基板,結(jié)果證實(shí)改良后的模組散熱性能更好,最大輻照度可達(dá)到31.6W/cm2。

臺(tái)灣中興大學(xué)

臺(tái)灣中興大學(xué)的Horng等人采用復(fù)合電鍍工藝制備出摻雜金剛石的銅(Diamond-addedCopper,DAC)散熱器并應(yīng)用于UV-LED封裝散熱。激光閃光法測(cè)得DAC散熱器的熱擴(kuò)散系數(shù)為0.7179cm2/s。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,采用DAC散熱器的UV-LED熱阻僅為18.4K/W,低于純銅的24.8K/W,其散熱特性和光學(xué)性能都得到了改善。

注入電流為350mA時(shí),使用DAC散熱器的UV-LED的表面溫度為45.3℃,而相同條件下純銅散熱器的UV-LED表面溫度為50.1℃,僅藍(lán)寶石襯底的表面溫度為62.5℃。

該條件下,UV-LED的輻射輸出功率和輻射效率分別增大至71.8mW和4.3%。

復(fù)旦大學(xué)

復(fù)旦大學(xué)課題組基于銅板與AlN板三明治結(jié)構(gòu)的高功率密度封裝,開發(fā)了kW級(jí)以上的大功率紫外LED光固化系統(tǒng)。

AlN板作為銅板正負(fù)電極之間、銅板電極與散熱器之間的絕緣層,既能達(dá)到良好的絕緣效果,又能夠確保芯片熱量的高效導(dǎo)出,從而改善LED模組的散熱特性;銅板作為電極連接,增大了LED模組的驅(qū)動(dòng)電流,將單位面積的封裝功率提高到20~500W/cm2。

如圖所示的移動(dòng)式紫外固化系統(tǒng),輸入功率密度達(dá)到200W/cm2,總功率14kW,能很好地應(yīng)用于各種不同的地坪涂料的固化處理,并已應(yīng)用于耐磨紙涂層和木器油漆的固化。

 

地坪涂料LED紫外固話系統(tǒng)及其光源模組

廣東海洋大學(xué)

 

廣東海洋大學(xué)的Zhou等人設(shè)計(jì)了一種特殊的扇形UV-LED陣列,用來滿足高速旋轉(zhuǎn)固化如光盤固化等應(yīng)用的特殊要求,并采用TracePro光學(xué)仿真軟件對(duì)該光源的輻照度分布進(jìn)行了模擬。

其陣列結(jié)構(gòu)如圖(a)所示,若干大功率UV-LED組成扇形陣列安裝在鋁基板上,每層UV-LED等間隔分布在以O(shè)為圓心的圓弧上。沿半徑方向上LED芯片的個(gè)數(shù)逐漸線性增加,從而輻照度沿徑向逐漸增加。

由圖(b)截面可知,UV-LED陣列分布在拋物型柱面上。每個(gè)LED正前方分別裝有準(zhǔn)直透鏡,生成發(fā)散角小于3°的近似平行光,然后UV-LED陣列的出射光匯聚在較小的矩形區(qū)域內(nèi),形成高功率密度的輻照面。

南京信息工程大學(xué)

南京信息工程大學(xué)的肖韶榮等人為構(gòu)造指紋熒光檢測(cè)中所需的均勻照明紫外光源,設(shè)計(jì)了一種圓環(huán)形的UV-LED陣列照明。

首先檢測(cè)單顆LED的輻射角分布,擬合單個(gè)LED的近似光強(qiáng)分布方程;然后用8顆LED均勻置于半徑為10mm的圓環(huán)上,在圓環(huán)上方5mm處的中心軸上放置1個(gè)LED;在給定的觀察屏上照度不均勻誤差下,根據(jù)斯派羅法則,確定觀測(cè)屏與圓環(huán)陣列之間的距離,從而實(shí)現(xiàn)LED圓環(huán)陣列的照度分布均勻化。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,觀測(cè)屏到圓環(huán)距離為11.0cm時(shí),在半徑為10.0mm的圓內(nèi),照度的不均勻相對(duì)誤差小于1.27%。

這種LED陣列光照度均勻化方法可靠性高,設(shè)計(jì)方法簡(jiǎn)單易行。但由于各LED的輻射有一定離散性,故其均勻化效果與理想效果還存在一定差異。

轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

LEDUV-LED研究
免責(zé)聲明

① 凡本網(wǎng)未注明其他出處的作品,版權(quán)均屬于激光制造網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。獲本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使 用,并注明"來源:激光制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)責(zé)任。
② 凡本網(wǎng)注明其他來源的作品及圖片,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)內(nèi)容可能涉嫌侵犯其合法權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)向本網(wǎng)提出書面權(quán)利通知,并提供身份證明、權(quán)屬證明、具體鏈接(URL)及詳細(xì)侵權(quán)情況證明。本網(wǎng)在收到上述法律文件后,將會(huì)依法盡快移除相關(guān)涉嫌侵權(quán)的內(nèi)容。

網(wǎng)友點(diǎn)評(píng)
0相關(guān)評(píng)論
精彩導(dǎo)讀