作者:Matthias Haag,Bernd Kohler,Jens Biesenbach,Thomas Brand, DILAS公司
對于光纖激光器泵浦和材料加工應(yīng)用,半導(dǎo)體激光器的高亮度已經(jīng)變得越來越重要。對OEM工業(yè)用戶來說,光纖耦合輸出裝置比直接輸出模塊具有很多優(yōu)點:光纖輸出是一種標準接口,光束傳輸非常容易幾乎沒有限制。除了傳輸功能,光纖還具有均化光斑的作用:從光纖中輸出的激光光斑是對稱的,并且具有高度可重復(fù)性光束質(zhì)量和指向穩(wěn)定性。
然而,有效的光纖耦合需要合適的慢軸光束質(zhì)量以滿足光纖的要求?;跇藴实?0mm陣列的半導(dǎo)體激光器系統(tǒng),經(jīng)常采用光束變換系統(tǒng)對高度非對稱的半導(dǎo)體激光器陣列或垂直疊陣的輸出光進行整形。這些光束變換系統(tǒng)(棱鏡組、透鏡組、光纖束等)價格昂貴,而且隨著復(fù)雜程度的提高,效率也在降低。尤其是對于具有較小光纖直徑的高功率器件來講,更是如此。此外,基于單管的系統(tǒng)具有降低成本的潛力,而光纖束亮度卻受限于固有的填充因子損耗。
德國DILAS公司已經(jīng)開發(fā)了一種新型半導(dǎo)體激光器裝置,該裝置集半導(dǎo)體激光器陣列和單管的優(yōu)點于一身:高亮度、高可靠性、具有單管的廉價結(jié)構(gòu)。該器件的 核心是一個特殊設(shè)計的半導(dǎo)體激光器陣列(T-Bar),其晶體外延和側(cè)面結(jié)構(gòu)被設(shè)計成僅需標準的快軸和慢軸準直透鏡組,就可以把光束耦合到直徑為 200μm的光纖中。在第一階段,有多達30個同一波長的T-Bars輸出被耦合到光纖中,其輸出功率大于500W。按照現(xiàn)在單管的發(fā)展,在 200μm光纖中的輸出功率有望達到1kW。
高亮度光纖耦合半導(dǎo)體激光器
芯片技術(shù)的不斷發(fā)展以及精密微光學系統(tǒng)的應(yīng)用,使光纖耦合高功率半導(dǎo)體激光器(HPDL)可以在功率和亮度方面與燈泵固體激光器(solid laser)(LPSSL)相競爭。在不久的將來,半導(dǎo)體激光器將在很多應(yīng)用中取代燈泵固體激光器(solid laser)。
目前半導(dǎo)體激光器的發(fā)展主要受到材料加工領(lǐng)域日益增長的需求的驅(qū)動。 另外,隨著很多應(yīng)用將光纖激光器作為首選光源,也在一定程度上推動了對更高亮度光纖耦合泵浦模塊的需求。最終,高亮度泵浦源促使了光纖激光器輸出的高亮 度。對泵浦光源光束質(zhì)量的要求與光纖激光器的設(shè)計直接相關(guān),如泵浦光纖和增益光纖的布局。目前,大多數(shù)光纖激光器的設(shè)計采用兩種基本布局:
(一)單端泵浦和雙端泵浦結(jié)構(gòu)
a)泵浦光束通過自由空間光器件被耦合到雙包層光纖的一端或兩端,高功率激光束通過雙色鏡輸出(圖1a)。
b)泵浦光束通過單模或多模光纖合束器(通常是6+1×1)被耦合到雙包層光纖中。
(二)側(cè)面耦合結(jié)構(gòu)
a)一個或多個多模泵浦光纖與增益光纖在共同的包層中相連接。
b)分布式側(cè)面耦合:許多光纖耦合單管模塊(或最新包含兩個或三個單管模塊)被熔接到增益光纖的泵浦纖芯(圖1b)。
這些不同結(jié)構(gòu)的特點在一些文獻中已有描述。所需泵浦光源的光束指標可以直接從增益光纖的設(shè)計中推導(dǎo)出來。泵浦光束的波長由增益光纖纖芯中的摻雜物質(zhì)決定, 其光束質(zhì)量(即光束參量積BPP,定義BPP=ω0θ;其中θ為半遠場發(fā)散角;ω0為半束腰直徑,ω0=d0/2)由泵浦纖芯(雙包層光纖)或泵浦光纖 (側(cè)面泵浦光纖)決定。
圖2給出了典型的光纖設(shè)計,并給出了數(shù)值孔徑(NA)和纖芯直徑。對于分布式側(cè)面耦合結(jié)構(gòu),泵浦光源的設(shè)計非常清晰:盡可能多地把功率從單管耦合到 125μm/NA 0.12的光纖中。對于其他需要更高功率水平的光纖結(jié)構(gòu),可以有多種選擇來制造合適的泵浦光源,比如使用單發(fā)射陣列激光器和錐形半導(dǎo)體激光器,但是大多數(shù)制造商主要采用兩種方法制造高亮度模塊:
(一)基于單管的泵浦光源
功率的提高或是在自由空間排布上利用空間復(fù)用多個單管,或是通過單級或多級光纖并束器。
(二)基于寬面積半導(dǎo)體激光器陣列的泵浦光源
自由空間排布的半導(dǎo)體激光器陣列被直接耦合到高數(shù)值孔徑的泵浦光纖中,或是通過光纖并束器把多個高亮度光纖器件合并以提高功率。
圖3給出了兩種設(shè)計方法的內(nèi)在比較。在過去的幾十年間,制造商趨向于將半導(dǎo)體激光器陣列和單管的優(yōu)點相結(jié)合。從半導(dǎo)體激光器陣列制造商方面來看,這種趨勢 最直接的驅(qū)動力來自于有競爭力的價格潛力和單管技術(shù)的長壽命。另一方面,單管制造商正在尋求用一個多單管陣列或標準陣列實現(xiàn)的光纖耦合器件。例如,應(yīng)用于材料加工的每陣列具有4個單管的短條設(shè)計,以及用于光纖激光器泵浦的自由空間單管設(shè)計。
作為生產(chǎn)傳統(tǒng)封裝半導(dǎo)體激光器陣列的公司,德國DILAS融合了這兩種基本結(jié)構(gòu),在傳統(tǒng)的10mm陣列上實現(xiàn)了單管的很多優(yōu)良特性。DILAS公司的最終 目標是在一個多功能模塊上以最小的成本/功率值實現(xiàn)最高的亮度,進而滿足泵浦光源與材料加工方面的應(yīng)用。
T-BAR的設(shè)計
T-Bar代表定制的半導(dǎo)體激光器陣列。T-Bar是多個單管的半導(dǎo)體陣 列,其間距(兩個相鄰單管的中心距)和寬度的選擇是為了保證在不使用復(fù)雜光束整形器件的條件下,實現(xiàn)慢軸方向所需要的光束質(zhì)量。在快軸方向,為了獲得最高 亮度的激光光斑、并耦合進光纖器件,在垂直方向上排布的半導(dǎo)體激光器陣列的數(shù)目要跟慢軸的光束質(zhì)量相匹配。一般來說,T-Bar具有以下兩個主要特征:
●所有單管的慢軸光束參量積,都等于耦合光纖所需的光束質(zhì)量;
●微光學系統(tǒng)的使用限制于快軸準直器和慢軸準直器,以減小畸變、提高填充因子。
T-Bar的設(shè)計通常遵循以下典型步驟:首先定義光纖參量(直徑和數(shù)值孔徑),然后設(shè)計陣列的側(cè)面結(jié)構(gòu),最后確定與光纖匹配的半導(dǎo)體激光器陣列的數(shù)目。表1描述了三種不同的光纖直徑以及相對應(yīng)的快軸和慢軸參數(shù)下的半導(dǎo)體激光器疊陣參數(shù)。
為了克服技術(shù)和成本方面的限制,T-Bar在研發(fā)中需要考慮以下方面:
A)成本
對于典型的光纖耦合半導(dǎo)體激光器模塊,其主要成本來源于半導(dǎo)體芯片和微光學系統(tǒng)。事實上,模塊的亮度越高,則微光學系統(tǒng)占據(jù)的成本比例就越大。對于一個使 用傳統(tǒng)的10mm半導(dǎo)體激光器陣列的200μm光纖輸出模塊,其微光學系統(tǒng)的成本很容易達到甚至超過總成本的50%。再加上準直和安裝費用,微光學系統(tǒng)占 據(jù)了總成本的60%以上。T-Bar研發(fā)的一個主要目標是在保持相同半導(dǎo)體芯片成本的前提下,將微光學系統(tǒng)的成本降到總成本的20%以下。只有去除為了重 新排列和旋轉(zhuǎn)每個單管的復(fù)雜的棱鏡和透鏡系統(tǒng),并限制準直微光學系統(tǒng)的使用,才有可能降低成本。
B)冷卻
另一個直接影響成本/功率值的因素是在半導(dǎo)體激光器前端面獲得的功率密度。即使使用最先進的安裝技術(shù)(硬焊料),標準的商用10mm半導(dǎo)體激光器陣列可獲 得的功率密度的最大值為25W/mm。對于單管,目前可獲得的功率密度為50~100W/mm,預(yù)計最大可達200W/mm。這個差異主要是由熱因素導(dǎo)致 的:即使使用微通道熱沉,比如安裝在C-mount熱沉上,冷卻一個密集封裝的半導(dǎo)體激光器陣列的效率都要遠低于冷卻一個單管。
除了價格因素,冷卻效率也極大地影響半導(dǎo)體激光器的性能和壽命。實驗表明,在一個典型半導(dǎo)體激光器陣列中,相鄰單管的熱串擾導(dǎo)致了半導(dǎo)體內(nèi)的絕大部分熱沉 積。這種現(xiàn)象對高填充因子的半導(dǎo)體激光器陣列(如50%)、非優(yōu)化的熱阻和具有銅鎢基底(sub-mount)的硬焊料焊接的半導(dǎo)體激光器尤其明顯。解決 熱串擾的唯一辦法是增加單管之間的距離。然而從芯片層面來看,這與低成本相矛盾,因為大的間距意味著低填充因子。另外,當半導(dǎo)體激光器的填充因子降低 時,F(xiàn)AC和SAC透鏡的成本效率也降低?;跓岱抡娴牡椒ū挥脕碓O(shè)計T-Bar,以尋找成本和性能之間的折中方案。
C)光束質(zhì)量
所需陣列的光束參數(shù),可以很容易地通過耦合光纖的直徑和數(shù)值孔徑計算得到。通常情況下,對于給定的外延結(jié)構(gòu)和腔長,半導(dǎo)體激光器慢軸的發(fā)散角是電流的函數(shù),也是光功率的 函數(shù)。只要確定了半導(dǎo)體激光器的工作點,其輸出光束的發(fā)散角就可以用來計算陣列的總長度,并實現(xiàn)一定的光束參量積。陣列長度以及冷卻限制決定了T-Bar 的側(cè)面結(jié)構(gòu)。比如,一個500μm的單管的光束質(zhì)量與五個平均分布在10mm半導(dǎo)體激光器陣列上的100μm單管相同。然而,冷卻低填充因子的半導(dǎo)體激光 器效率會更高。
除了冷卻因素,低填充因子不但提高了慢軸的準直性能,還提高了整個慢軸的光束質(zhì)量。另一方面,假設(shè)使用類似的安裝技術(shù),與短的高填充因子半導(dǎo)體激光器陣列 相比,一個長的低填充因子的半導(dǎo)體激光器陣列,在快軸光束畸變方面更容易受到彎曲的影響。DILAS公司的T-Bar,可以最大限度地滿足這些相互矛盾的 需求。
D)壽命
10mm半導(dǎo)體激光器陣列的典型壽命是10,000~20,000小時,這取決于工作模式和環(huán)境條件。與這些數(shù)字形成鮮明對比的是單管的壽命,一般都在 50,000小時以上。除了技術(shù)因素(冷卻、內(nèi)部應(yīng)力等)外,單管結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體激光器陣列相比具有固有的優(yōu)勢:電氣隔離和環(huán)境隔離。在一個半導(dǎo)體激光器陣 列上,一定數(shù)量的單管被緊湊排列、并行地連接在一起。如果沒有空間隔離和電氣隔離,將會出現(xiàn)致命情況:一個單管的失效,會因為短路或污染其他單管表面而導(dǎo) 致整個半導(dǎo)體激光器陣列失效。圖4給出了相關(guān)的關(guān)系圖,其中半導(dǎo)體激光器陣列上的單管以串聯(lián)形式排布。單管可以并行方式連接,這樣其中一個單管的失效不會 影響其他單管。因此,對于給定時間內(nèi)完全并行連接的單管陣列,其基于MTTF計算的存活概率R(t)要遠高于半導(dǎo)體激光器陣列。
其中,MTTF為平均失效時間,F(xiàn)(t)為失效概率,n為串聯(lián)的半導(dǎo)體激光器數(shù)目。
實際上,單管和半導(dǎo)體激光器陣列的差異并不完全像圖4中的表格所描繪的那樣,因為到目前為止,并不是每一個單管的失效都會導(dǎo)致整個半導(dǎo)體激光器陣列失效。 然而,從統(tǒng)計的角度看,減少半導(dǎo)體激光器陣列上單管的數(shù)目,是提高壽命的有效手段。基于此,DILAS公司的T-Bar所包含的單管數(shù)目,比標準的半導(dǎo)體 激光器陣列要少。
500W/200μm樣機的設(shè)計與特性
T-Bar模塊的光學設(shè)計的突出特點是簡潔高效,這使每瓦的成本非常具有優(yōu)勢。圖5給出了500W樣機的光學裝置圖。半導(dǎo)體激光器被排布成兩個偏振耦合模塊,每個模塊包含兩列交叉的二級管。為了配合前面和后面二級管的發(fā)射光束,裝置采用了一個新型光學元件,它不僅能偏轉(zhuǎn)每個半導(dǎo)體激光器發(fā)射的交叉光束,還能補償光程差。在慢軸方向,不需要進一步的光束整形;在快軸方向,為了在聚焦透鏡處形成對稱光束,光束通過一個柱透鏡望遠鏡實現(xiàn)壓縮。然后通過一組球面透鏡把光束聚焦到200μm的光纖中。
為了達到亮度水平,就需要一個剛性的、熱穩(wěn)定好的機械裝置以保證器件可靠運轉(zhuǎn)。器件使用了一個可以包含所有光學支架和半導(dǎo)體激光器基板的硬質(zhì)單框架模塊盒,來滿足其對硬度、緊湊性和簡單性的要求。光纖的中心位置決定了可以使用傳導(dǎo)冷卻光纖連接器。對兩個半導(dǎo)體激光器模塊和光纖基座的冷卻,是通過使用公共入水口實現(xiàn)的。被動冷卻方案允許使用工業(yè)水,但這是嚴格禁止在模塊內(nèi)部使用的。圖6顯示了裝有初步高功率光纖適配器模塊的實物圖,其外觀尺寸為 250mm×150mm×40mm。
今后的主要工作是設(shè)計一個傳導(dǎo)冷卻的低成本光纖,使之能輸出1kW的連續(xù)光。目前還沒有這種光纖,所以仍在使用標準的QBH水冷高功率光纖。圖7 給出了第一臺模塊樣機的光學性能。功率電流(PI)曲線(圖7a)表明,在電流大約為39A時,在200μm光纖中可以獲得500W的功率輸出。目前開發(fā) 中遇到的主要問題是,增加電流會導(dǎo)致效率降低,并在PI曲線上出現(xiàn)明顯彎曲。
模塊輸出的均勻光譜(圖7b)表明,其可以高效地將熱量通過底板從每個熱沉傳導(dǎo)到冷卻水。
結(jié)論與展望
使用一種新型半導(dǎo)體激光器陣列設(shè)計方法,DILAS公司開發(fā)出了高亮度光纖耦合激光器模塊,低成本、簡潔、高效是其主要特征。首臺樣機可從200μm光纖 中輸出500W的976nm激光。T-Bar模塊系統(tǒng)集二級管陣列和單管的優(yōu)點于一身,是極具潛力的光纖激光器泵浦源。
DILAS的下一個目標是改進半導(dǎo)體激光器和模塊的整體設(shè)計,特別是芯片的進步將有望大幅降低每瓦成本,并延長壽命。對于模塊樣機,100μm單管條,功 率限制在每個單管6W。在不久的將來,輸出功率有望達到10W,這對增加模塊的亮度以及降低每瓦成本都將產(chǎn)生積極影響,每瓦成本將小于20美元。
模塊設(shè)計的改進可以解決熱耗散與操作問題。降低二級管陣列和水循環(huán)之間的熱阻,對半導(dǎo)體的性能和壽命都有巨大影響。該項目研究了減少熱接觸面數(shù)目的新型安 裝技術(shù),并使用了CVD鉆石以及復(fù)合材料。秉承著簡單操作的理念,DILAS最終想生產(chǎn)出能“任意使用的模塊”。今后的設(shè)計目標是完全免維護,并具有超長 壽命、體積更小的單管的使用,將有助于該目標的實現(xiàn)。
參考文獻:
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