晶圓-----是指硅半導(dǎo)體及電路制作所用的硅芯片,它是制造IC的基本原料。利用VLSI制程技術(shù)在硅芯片上制作成各種電路組件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
激光晶圓切割機是我公司針對晶圓切割而開發(fā)的一款具有國際領(lǐng)先水平的新機型,根據(jù)客戶的不同需求,可以搭載不同的激光器。
應(yīng)用范圍
硅晶片、Ⅲ-Ⅴ晶片劃線、切割 ,寶石切割。
技術(shù)特點
采用國際先進(jìn)技術(shù)的光纖激光器輸出激光,具有光束質(zhì)量高、聚焦光斑精細(xì)、激光釋放均勻、切割不良率極低、體積小,質(zhì)量輕、使用方便等特點;且成本較 低,性價比高。采用355nm紫外激光器(冷光源)作為光源,熱效應(yīng)區(qū)域小、切邊質(zhì)量高,切割后晶粒的電參數(shù)性能優(yōu)于機械加工方式。
激光切割屬于非接觸式切割,解決了傳統(tǒng)機械式切割中硅片極易脆裂的問題。大大提高硅片切割的生產(chǎn)效率及成品率,可完全替代現(xiàn)有的機械切片方式,同時配置高精度的二維工作平臺CCD定位系統(tǒng),實現(xiàn)切割軌跡的精確控制,是晶圓切割行業(yè)的最優(yōu)選擇。
WaferCut 系列機種是一款專門為滿足新型、高端組件的需求而設(shè)計的激光微細(xì)切割設(shè)備, 采用原裝進(jìn)口之5W紫外激光器作為光源。高精度運動平臺搭配精密旋轉(zhuǎn)臺,配置高精度CCD圖像處理系統(tǒng),實現(xiàn)從送料、切割自動化過程。
技術(shù)指標(biāo)性能
切割幅面 | 最大幅面300mm x 300mm |
切割速度 | 30-600mm/s |
X/Y軸傳動精度 | +/- 3 µm |
重復(fù)精度 | +/- 1.5 µm |
旋轉(zhuǎn)精度 | ±0.001度 |
最大激光功率 | 5W |
激光波長 | 355nm |
最大切割深度 | 20µm -800µm (視材料而定) |
切割線寬 | 6µm -15µm(視材料而定) |
電力需求 | 220V/單相/50Hz/35A |
消耗功率 | 約 8KW |
外形尺寸和重量 | 1500 x 1,700 x 1,600 mm / 約 2,000 kg |
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