ASML之后，再無(wú)來(lái)者？

在我們今天看來(lái)，晶體管發(fā)明以后，集成電路的出現(xiàn)一直到今天超大規(guī)模集成電路的出現(xiàn)，似乎是一件水到渠成的事情。但是如果回到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)初興的歷史現(xiàn)場(chǎng)，我們就會(huì)發(fā)現(xiàn)沒有任何一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的突破是“必然產(chǎn)生”的。

（硅晶圓上的集成電路和電子元器件）

光刻技術(shù)，正是半導(dǎo)體芯片得以出現(xiàn)的關(guān)鍵技術(shù)之一，也仍然是今天芯片的核心制造工藝，光刻機(jī)更是被譽(yù)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠。

在試圖探討我國(guó)如何實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突圍的當(dāng)下，光刻技術(shù)和光刻機(jī)始終是我們無(wú)法回避的技術(shù)隱痛，也是我們必須跨越的技術(shù)高峰。

不過，高端光刻機(jī)所涉及的技術(shù)種類之多、技術(shù)難度之高、產(chǎn)業(yè)鏈之復(fù)雜，遠(yuǎn)超外行人的想象。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)七十多年的進(jìn)程中，正是光刻技術(shù)的不斷改進(jìn)推動(dòng)了芯片結(jié)構(gòu)的迭代升級(jí)，同時(shí)光刻技術(shù)以及相伴而生的光刻機(jī)、光源、光學(xué)元件、光刻膠等材料設(shè)備，也形成了極高的技術(shù)壁壘和錯(cuò)綜復(fù)雜的產(chǎn)業(yè)版圖。

我們首先將回到光刻技術(shù)誕生的歷史現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行還原，也會(huì)深入到光刻技術(shù)的演進(jìn)歷程，以及光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)版圖中，讓我們獲得對(duì)于光刻技術(shù)的全局視野，從而也能更好理解當(dāng)下我們所處的半導(dǎo)體光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局。

為硅晶體拍照，光刻技術(shù)的閃亮登場(chǎng)

從晶體管的發(fā)明到集成電路的出現(xiàn)，這中間還有一個(gè)巨大的跨越，那就是如何將大量的電子器件微型化，以集成在一小片電路上。完成這一跨越，全世界最聰明的電子工程師們又花了十年時(shí)間，這十年也成為電子技術(shù)史上面的第一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期。

20世紀(jì)50年代，在芯片出現(xiàn)之前，電子器件的連接幾乎都要依賴手工完成。當(dāng)時(shí)美國(guó)海軍的一艘航空母艦有35萬(wàn)個(gè)電子設(shè)備，需要上千萬(wàn)個(gè)焊接點(diǎn)。這樣的工程量使得電子設(shè)備的生產(chǎn)效率嚴(yán)重低下，電路的成品率也完全依賴操作人員的熟練度和準(zhǔn)確度。

電子產(chǎn)業(yè)界都在呼喚微型化集成電路，也就是芯片的出現(xiàn)，而制作芯片的工藝正在貝爾實(shí)驗(yàn)室中醞釀。

從1950年起，貝爾實(shí)驗(yàn)室的幾位化學(xué)家陸續(xù)完成了鍺晶體和硅晶體的提純。到1995年初，亨利·索羅制造出了雜質(zhì)濃度小于千分之一的硅晶體。

與此同時(shí)，化學(xué)家卡爾文·富勒領(lǐng)導(dǎo)的小組研發(fā)出高溫下鍺晶體的雜質(zhì)擴(kuò)散工藝，可以通過精準(zhǔn)地控制雜質(zhì)進(jìn)入鍺晶體的深度和數(shù)量，制造出PN結(jié)。1955年，富勒研究小組已經(jīng)把擴(kuò)散技術(shù)應(yīng)用在硅晶體上面，通過擴(kuò)散技術(shù)將兩種雜質(zhì)注入硅片上，形成NPN結(jié)構(gòu)。擴(kuò)散技術(shù)至今仍然是晶體管制造的基礎(chǔ)。

（貝爾實(shí)驗(yàn)室以擴(kuò)散技術(shù)制造的第一個(gè)硅基晶體三極管）

同時(shí)在貝爾實(shí)驗(yàn)室工作的卡爾·弗洛希和林肯·德里克為擴(kuò)散技術(shù)提出了一種全新的方式，那就是在硅片表明生成一層氧化膜，在其上蝕刻出窗口圖形，從而使得雜質(zhì)只能從窗口擴(kuò)散到硅襯底中，而覆蓋氧化膜的地方則被保護(hù)了起來(lái)。

在這些基礎(chǔ)工藝實(shí)現(xiàn)之后，光刻技術(shù)的出現(xiàn)也呼之欲出。1955年，貝爾實(shí)驗(yàn)室的朱爾斯·安德魯斯和沃爾特·邦德開始合作，將于制造印刷電路的光刻技術(shù)用于硅片加工。其方法就是在二氧化硅的氧化膜上均勻涂抹一層“光致抗蝕劑”（也就是光刻膠），隨即通過光學(xué)掩模的方式將窗口圖形暴露在這一圖層上，形成精準(zhǔn)的窗口區(qū)域。然后再通過化學(xué)蝕刻將這一“窗口”形成，同時(shí)除去未曝光的“光致抗蝕劑”。最后再將所需雜質(zhì)通過這些“窗口”擴(kuò)散到下面的硅襯底中，形成半導(dǎo)體器件所需要的P型和N型結(jié)構(gòu)，從而構(gòu)成更精準(zhǔn)、更復(fù)雜的半導(dǎo)體器件。

簡(jiǎn)言之，光刻技術(shù)的實(shí)質(zhì)就是將芯片所需要的電子線路和功能區(qū)制造出來(lái)。光刻機(jī)將光源通過掩模，對(duì)涂了光刻膠的硅晶圓進(jìn)行曝光，曝光后的光刻膠發(fā)生變化，也就“復(fù)印”了掩模上面的圖形，最終也就使得晶圓上面產(chǎn)生了電子線路圖。

純化技術(shù)、擴(kuò)散技術(shù)、氧化層掩膜技術(shù)以及光刻技術(shù)，這些制造工藝技術(shù)填平了從晶體管分立器件到集成電子線路的巨大鴻溝。

不久之后，德州儀器的基爾比和仙童半導(dǎo)體的諾伊斯，就將這些來(lái)自貝爾實(shí)驗(yàn)室的半導(dǎo)體制造工藝應(yīng)用在了集成電路的制造上面，開啟了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的騰飛之路。

光刻技術(shù)的“摩爾定律”升級(jí)賽

有趣的是，光刻技術(shù)的發(fā)展還有一條支線。就在貝爾實(shí)驗(yàn)室取得半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)展的同時(shí)，當(dāng)時(shí)為美國(guó)國(guó)防部研究固態(tài)電路微型化的兩位工程師杰伊.萊斯羅普和詹姆斯.納爾，早已在1952年開始使用光刻膠來(lái)制作鍺晶體管。1957年，兩人在貝爾實(shí)驗(yàn)室研究成果的基礎(chǔ)上進(jìn)一步推進(jìn)了光刻技術(shù)，制成了小型化的晶體管和陶瓷的混合電路，并創(chuàng)造了“光刻”（Photolithography）一詞。

（萊斯羅普和納爾申請(qǐng)的光刻專利）

1958年，仙童半導(dǎo)體的霍尼發(fā)明了平面工藝，解決了晶體管的絕緣和連線問題，同時(shí)拉斯特和諾伊斯造出了世界上第一臺(tái)光刻照相機(jī)，用于硅基晶體三極管的制造。1959年，仙童半導(dǎo)體研制世界第一個(gè)單結(jié)構(gòu)硅晶片。1963年，研制出CMOS制造工藝，成為今天IC產(chǎn)業(yè)的主流制造工藝。

六十年代初，光刻技術(shù)還非常初級(jí)，當(dāng)時(shí)掩模板是一比一貼在晶圓上，而晶圓的大小也只有1英寸。因?yàn)樵聿⒉粡?fù)雜，就如同照相一樣，半導(dǎo)體公司還能自己設(shè)計(jì)相關(guān)光刻工具和裝備，但很快專業(yè)的光刻機(jī)出現(xiàn)，隨即成為了芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備之一。

也就在1965年，英特爾創(chuàng)始人，時(shí)任仙童半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室主任的戈登·摩爾通過觀察發(fā)現(xiàn)每代芯片幾乎都是前一代芯片容量的兩倍，以此提出了推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)升級(jí)的“摩爾定律”。當(dāng)時(shí)的版本是，集成電路芯片上可容納的元器件數(shù)目，在價(jià)格不變的基礎(chǔ)上每年翻一番。1975年，他又改為每?jī)赡攴环?/p>

（摩爾定律的推進(jìn)路線）

而摩爾定律實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵正是光刻技術(shù)。隨著集成電路元器件尺寸不斷縮小，而芯片集成度和運(yùn)算速度的不斷提高，對(duì)光刻技術(shù)的分辨率要求也越來(lái)越高。最終摩爾定律的實(shí)現(xiàn)正是同這一光學(xué)分辨率息息相關(guān)，而光學(xué)分辨率則是由一個(gè)瑞利公式?jīng)Q定：

CD=K1*λ/NA

其中，CD為曝光關(guān)鍵尺寸，K1為工藝常數(shù)，λ為光波長(zhǎng)，NA為投影物鏡的光學(xué)數(shù)值孔徑。CD值越低，代表分辨率越高，也就是，光刻技術(shù)只有每?jī)赡臧袰D降低30%~50%，摩爾定律才能得以應(yīng)驗(yàn)。

所以，提高光學(xué)分辨率的方法有三種，降低K1值，提高數(shù)值孔徑NA，降低波長(zhǎng)λ。在現(xiàn)實(shí)的技術(shù)工藝中，K1值和NA值的改進(jìn)有限，而降低曝光光源的波長(zhǎng)λ成為光刻技術(shù)持續(xù)推動(dòng)的趨勢(shì)。

從六十年代開始，半導(dǎo)體曝光光源經(jīng)歷了可見光、八十年代的436納米、365納米近紫外波段的高壓汞燈光源，再到九十年代的248納米深紫外波段的準(zhǔn)分子KrF激光。一直到九十年代末的193納米ArF準(zhǔn)分子激光，也就是今天主流電腦主機(jī)芯片制造還在使用的DUV激光光源。

正是193納米波長(zhǎng)，成為決定今天光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)格局的分水嶺。

面對(duì)當(dāng)時(shí)如何突破193納米波長(zhǎng)的難題，科學(xué)界和光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)界都在尋求超越它的方案。當(dāng)時(shí)美國(guó)的SVG、日本的尼康，基于前一代的干式光刻法，選擇了看起來(lái)更穩(wěn)妥的157納米的F2激光，美國(guó)能源部和英特爾發(fā)起，聯(lián)合摩托羅拉、AMD等組建了EUV LLC，主攻過于超前的13.5納米的EUV極紫外光光源，此外還有更小眾的EPL、離子光刻等。不過當(dāng)時(shí)這些嘗試都失敗了。

有趣的是，來(lái)自臺(tái)積電的工程師林本堅(jiān)，在2002年提出了一種基于193納米波長(zhǎng)，但改變干式光刻為浸潤(rùn)式光刻工藝，也就是在光刻膠上方加上一層薄薄的水，來(lái)把193納米波長(zhǎng)折射成134納米，一下子突破了157納米的難關(guān)。此后浸潤(rùn)式光刻技術(shù)經(jīng)過多次的工藝改進(jìn)，更是做到了22納米制程。

（ASML的第一臺(tái)浸潤(rùn)式光刻機(jī)）

而最早選擇浸潤(rùn)式光刻技術(shù)的，就是那個(gè)“天選之子”一般的ASML。最終，在ASML和臺(tái)積電的通力合作下，率先將193納米浸潤(rùn)式光刻機(jī)生產(chǎn)出來(lái)，也正是這一領(lǐng)先尼康三年的新產(chǎn)品，讓ASML徹底贏得了光刻機(jī)絕大部分的市場(chǎng)份額。而潰敗的尼康再也沒能拿出更好的光刻機(jī)，而只能停留在中低端市場(chǎng)當(dāng)中。

在此之后，光刻機(jī)的高端賽道上只剩下ASML和獨(dú)步天下的EUV光刻機(jī)。而這一段需要我們另辟專題專門去分析。

在光刻技術(shù)的數(shù)十年演進(jìn)過程中，我們其實(shí)也能隱約看到一條光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的變遷路徑。

光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)殘酷淘汰賽

毋庸置疑，半導(dǎo)體晶體管以及光刻技術(shù)的發(fā)端肇始于貝爾實(shí)驗(yàn)室。那么，在專利制度如此完善的美國(guó)，為什么貝爾實(shí)驗(yàn)室及其背后的AT&T沒有成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍者，而是在短時(shí)間內(nèi)有眾多的美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)迅速崛起？

這場(chǎng)技術(shù)革命之所以很快傳遍整個(gè)產(chǎn)業(yè)界，源于當(dāng)時(shí)AT&T面臨反壟斷的壓力，不得不向美國(guó)政府表態(tài)，將半導(dǎo)體技術(shù)公之于眾。1956年，貝爾實(shí)驗(yàn)室第三次召開半導(dǎo)體晶體管技術(shù)分享會(huì)，正式公布了光刻、擴(kuò)散技術(shù)和氧化層掩膜技術(shù)，連同早在1952年就出售的晶體管生產(chǎn)技術(shù)，直接壯大了德州儀器、IBM、摩托羅拉、索尼等公司的半導(dǎo)體技術(shù)，也間接催生了仙童、英特爾、AMD等后來(lái)的半導(dǎo)體巨頭。

而光刻技術(shù)的公布和擴(kuò)散更是引發(fā)了持續(xù)至今的光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的革新和版圖遷移。

最先受益的自然是美國(guó)企業(yè)。1961年，美國(guó)GCA醫(yī)療技術(shù)公司造出了第一臺(tái)光刻機(jī)。七十年代，美國(guó)Kasper儀器公司、Perkin Elmer公司先后推出對(duì)齊式、投影式光刻產(chǎn)品，占領(lǐng)了市場(chǎng)先機(jī)。1978年，GCA又推出了真正意義上第一臺(tái)自動(dòng)化步進(jìn)式光刻機(jī)Stepper，分辨率可以達(dá)到1微米，逐漸占據(jù)了市場(chǎng)主導(dǎo)地位。

（1980年，尼康推出步進(jìn)式光刻機(jī)NSR-1010G）

由于當(dāng)時(shí)光刻技術(shù)門檻相對(duì)不高，六十年代末，日本的尼康和佳能因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)相近，也開始涉足光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)。到了八十年代，尼康發(fā)售了自己首臺(tái)商用步進(jìn)式光刻機(jī)NSR-1010G，擁有更先進(jìn)的光學(xué)系統(tǒng)和自研的鏡頭，開始從GCA手里奪下了IBM、英特爾、AMD等一系列大客戶。

直到1984年，尼康已經(jīng)可以和GCA平起平坐，各自占據(jù)30%的市場(chǎng)份額。Ultratech、Eaton、P&E、佳能、日立等剩下幾家瓜分剩下的40%。

（圖中的簡(jiǎn)易木板房就是ASML最初的辦公地點(diǎn)）

而這一年，未來(lái)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的霸主ASML（先進(jìn)半導(dǎo)體材料光刻公司），在荷蘭飛利浦公司和一家名叫ASMI的小公司合作下成立。成立之初，ASML只有31名員工，并且只能在飛利浦大樓外的簡(jiǎn)易木房里辦公。ASML的崛起還有一段時(shí)間，八十年代是日本半導(dǎo)體和光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的“光輝歲月”。

隨著1986年半導(dǎo)體市場(chǎng)大滑坡，GAC的新產(chǎn)品開發(fā)停滯，隨即被收購(gòu)，再之后因無(wú)人接手而關(guān)門。Ultratech 在被管理層收購(gòu)后停滯不前，P&E的光刻機(jī)部門也在1990年被賣給了SVG。八十年代末，美國(guó)的光刻機(jī)三巨頭隕落，而日本的尼康、佳能占據(jù)了絕大部分市場(chǎng)份額，剛剛起步的ASML也只拿到10%的市場(chǎng)份額。

而到了90年代，就是尼康和ASML雙雄競(jìng)爭(zhēng)的時(shí)代，不過因?yàn)槭兰o(jì)之初的那一場(chǎng)技術(shù)路線之爭(zhēng)，尼康落敗，ASML一騎絕塵，一直到今天其光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)霸主的地位仍然牢不可破。

總體來(lái)看，在光刻技術(shù)發(fā)展的六十年時(shí)間里，光刻機(jī)企業(yè)走馬燈似的快速淘汰和轉(zhuǎn)移，其實(shí)背后有一個(gè)非常現(xiàn)實(shí)的矛盾。就是光刻機(jī)作為芯片制造的上游產(chǎn)業(yè)，銷售市場(chǎng)非常狹窄，銷量也十分有限，當(dāng)時(shí)一家的年銷量也不過幾十臺(tái)，但是光刻機(jī)又是一個(gè)需要巨額資金持續(xù)投入研發(fā)、持續(xù)更新迭代的高精尖技術(shù)，而且隨著芯片制程越小，技術(shù)難度又呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增加。

因此，一旦一家企業(yè)出現(xiàn)產(chǎn)品的技術(shù)停滯或斷檔，領(lǐng)先一步的企業(yè)就會(huì)拿走少數(shù)幾家半導(dǎo)體廠商的絕大多數(shù)訂單，而落后的企業(yè)也因失去關(guān)鍵營(yíng)收而無(wú)力進(jìn)行光刻機(jī)新品的研發(fā)和生產(chǎn)，也就失去贏得競(jìng)爭(zhēng)的機(jī)會(huì)。

簡(jiǎn)單來(lái)說，光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的邏輯就是贏者通吃，尼康的敗局就是前車之鑒。

我國(guó)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與可能

回到我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突圍的問題上來(lái)，最核心的一項(xiàng)任務(wù)就是實(shí)現(xiàn)高端光刻機(jī)，特別是EUV光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)化。

不過，當(dāng)我們了解了光刻技術(shù)的演變和光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)遷移過程之后，可能會(huì)更冷靜地面對(duì)當(dāng)前無(wú)比艱難的競(jìng)爭(zhēng)格局。

首先，我國(guó)在入局光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的時(shí)間并不短，但是我們?cè)诤诵募夹g(shù)和專利上的積累仍然嚴(yán)重不足。專利技術(shù)受制于人成為卡住我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)咽喉的巨大隱痛。

（全球光刻機(jī)專利主要申請(qǐng)的公司）

一直以來(lái)，日本的尼康、東京電子、佳能都是光刻機(jī)專利的申請(qǐng)大戶。90年代之后，ASML的光刻機(jī)專利數(shù)也大幅增加，并且在日本也布局了大量專利。此外在中國(guó)臺(tái)灣、美國(guó)和韓國(guó)也有較多的專利布局。相比之下，我國(guó)的光刻機(jī)相關(guān)專利申請(qǐng)比例仍然很低，且近幾年也并未有增加的趨勢(shì)。基礎(chǔ)技術(shù)壟斷、技術(shù)研發(fā)門檻高，可能成為我國(guó)光刻機(jī)行業(yè)難以突破的一大因素。

（芯片中場(chǎng)效應(yīng)管的架構(gòu)發(fā)展）

其次，就在我們意識(shí)到要推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化的時(shí)候，芯片制造的摩爾定律已經(jīng)在逼近極限，其中一大限制因素正是光刻工藝制程已經(jīng)接近理論極限。當(dāng)芯片制程工藝向5納米以下演進(jìn)時(shí)，如何打破物理的、材料的極限，成為擺在光刻機(jī)和半導(dǎo)體制造企業(yè)面前的現(xiàn)實(shí)難題。

另外，為應(yīng)對(duì)日益高昂的芯片制造成本，芯片行業(yè)采取的方式就是企業(yè)間的并購(gòu)重組，到目前最先進(jìn)的芯片生產(chǎn)線只屬于英特爾、臺(tái)積電、三星和格羅方德等少數(shù)幾家芯片制造巨頭，他們與原材料和像ASML等設(shè)備商構(gòu)成一個(gè)“你中有我，我中有你”的壟斷格局。

對(duì)于我們國(guó)內(nèi)的光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)來(lái)說，既面臨壁壘森嚴(yán)的技術(shù)專利封鎖，又直接遭遇接近技術(shù)演進(jìn)極限的產(chǎn)業(yè)階段，還要面對(duì)處于完全壟斷地位的ASML的壓倒性優(yōu)勢(shì)，我們此時(shí)發(fā)起的技術(shù)挑戰(zhàn)，真的注定是一場(chǎng)無(wú)比艱難的極限挑戰(zhàn)。

對(duì)于關(guān)心半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突圍的大眾而言，恐怕更加不能心急，期望我國(guó)的光刻機(jī)技術(shù)在短短幾年內(nèi)就能追趕甚至超過國(guó)外巨頭。我們更應(yīng)該冷靜地認(rèn)清一個(gè)現(xiàn)實(shí)，光刻機(jī)作為芯片制造中最精密、最復(fù)雜、難度最大、價(jià)格最昂貴的設(shè)備，早已不再是一個(gè)國(guó)家或者少數(shù)幾家企業(yè)可以完成的工程了。

想要研制出最先進(jìn)的光刻機(jī)設(shè)備，必須與全球頂級(jí)的光源、光學(xué)、材料以及關(guān)鍵零部件等廠商進(jìn)行合作。即使在美國(guó)試圖封禁我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的艱難環(huán)境下，我們也不能放棄與國(guó)外這些先進(jìn)技術(shù)企業(yè)交流、合作的機(jī)會(huì)。

（武漢光電國(guó)家研究中心研制的“9納米光刻機(jī)”）

當(dāng)然，除了依靠商業(yè)合作之外，更重要的是我國(guó)的半導(dǎo)體企業(yè)要努力實(shí)現(xiàn)在某些技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)突破，只有在掌握“人無(wú)我有”的前端技術(shù)的情況下，我們才有足夠的話語(yǔ)權(quán)來(lái)與這些高手過招，也才有可能加入到高端光刻機(jī)制造的產(chǎn)業(yè)分工當(dāng)中。

當(dāng)然，令人欣喜的一方面是，我國(guó)對(duì)光刻機(jī)技術(shù)的自主化有了真正的意識(shí)和推動(dòng)，我國(guó)的光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)正在實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。后面我們將對(duì)此有更加詳盡的探討。

參考文獻(xiàn)：

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2.《科學(xué)》，“光刻技術(shù)的歷史與現(xiàn)狀”，2017年第三期。