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半導體激光器

SOA-S-OEC-1550 1.55μm 半導體光放大器

星之球激光 來源:英國CIP公司2013-04-10 我要評論(0 )   

特征: 1.55m 運行; 高增益 低飽和輸出功率 超快增益恢復時間 低飽和 PDG InP 隱埋式異質(zhì)界面設計 TEC 制冷 光學和電學特征 @20 ℃ , 1535-1530nm Test condition Min....

 

特征:

Ø 1.55μm運行;

Ø 高增益

Ø 低飽和輸出功率

Ø 超快增益恢復時間

Ø 低飽和PDG

Ø InP隱埋式異質(zhì)界面設計

Ø TEC制冷

光學和電學特征@20, 1535-1530nm

 

 

 

 

Test condition

Min.

Typ.

Max.

Unit

小信號增益

I=500mA

 

20

 

dB

偏振相關增益

I=500mA, Pin>0dBm

 

0.2

1

dB

飽和輸出功率

I=500mA

6

 

 

dBm

飽和增益恢復時間

I=500mA, Pin>0dBm, 1555nm

 

10

 

ps

 

 

絕對最大值

  

 

SYMBOL

RATING

UNIT

最大前向偏置直流電流

IFmax

700

mA

最大前向偏置直流電壓

VFmax

5

V

最大反向偏置直流電壓

Vrmax

2.0

V

最大輸入光功率

Pmax

+13

dBm

最大 TEC電流

TECIM

2.0

A

最大 TEC電壓

TECVM

3.6

V

運行溫度

T

15-40

°C

存儲溫度

TS

10-70

°C

光纖類型

SMF-28 900μm tight buffer, >1m

 


 

 

 

 

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