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半導體激光器
美國II-VI公司發(fā)布下一代808 nm半導體激光器
星之球激光 來源:網易2015-06-26 我要評論(0 )
在6月22-25日德國慕尼黑2015世界光電子激光展會B1館(展位403),工程材料和光電元件制造商美國II-VI公司的子公司瑞士蘇黎世II
在6月22-25日德國慕尼黑2015世界光電子激光展會B1館(展位403),工程材料和光電元件制造商美國II-VI公司的子公司——瑞士蘇黎世II-VI激光企業(yè)有限公司表示,正在推出下一代多模大功率808nm半導體激光器單發(fā)射器組合。新芯片對可靠性和效率進行優(yōu)化,輸出功率10W以上,實現(xiàn)下一代高功率光纖耦合模塊,作為材料加工和醫(yī)療應用的泵浦源。
擴大組合的808nm光纖耦合模塊提供輸出功率15W-30W,具有相同機械尺寸和纖維結構(200μ米纖芯/ 0.22數(shù)值孔徑)。新的光纖耦合產品是已經證明大批量通用“BMU”單發(fā)射平臺的擴展。這些高輸出功率/亮度BMU采用一個易于安裝的緊湊氣密封裝。二極管泵浦固態(tài)(DPSS)激光器制造商,醫(yī)療器械制造商和其他子系統(tǒng)的開發(fā)人員可以提升產品性能(通過替換現(xiàn)有的低功耗模塊),簡化產品配置(使用較少的模塊)和提高產品可靠性(通過不太復雜的光纖管理)。II-VI公司認為,基于其芯片設計技術和大批量封裝制造技術,新產品提供延長的使用壽命。同時,該波長范圍和光纖連接器類型可以定制,以滿足特定客戶的應用需求。新一代半導體激光器芯片還可以提供氮化鋁基板或C底座上的開放熱沉。
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