新浪科技訊 9月14日，英特爾研究人員表示，他們已經(jīng)破解了10納米芯片制造技術(shù)難題，為生產(chǎn)能耗更低的先進(jìn)芯片奠定了基礎(chǔ)。

　　英特爾Ivy Bridge和Haswell兩種芯片都將采用22納米制造工藝生產(chǎn)，在此之后，英特爾將轉(zhuǎn)向14納米制造工藝，并預(yù)計(jì)將在2013年晚些時(shí)候或2014年初開始用這種技術(shù)制造芯片。周三，在英特爾開發(fā)者論壇上，該公司高管透露他們還掌握了制造10納米芯片的技術(shù)。

　　英特爾技術(shù)制造部門工藝架構(gòu)與整合主管馬克·波爾(Mark Bohr)說：“14納米芯片技術(shù)現(xiàn)已處于全面的開發(fā)模式，正在為明年底啟動(dòng)全面生產(chǎn)做準(zhǔn)備。眼下，我將自己的個(gè)人時(shí)間都用在了10納米技術(shù)上面，看上去我們已經(jīng)找到了解決辦法。”

       波爾稱，10納米芯片技術(shù)可能依賴于一系列實(shí)驗(yàn)性技術(shù)，可能涉及光子學(xué)、材料合成、最新三柵級晶體管、極紫外光微影(EUV)等方面的技術(shù)。在有關(guān)如何生產(chǎn)10納米芯片的問題上，英特爾可能會(huì)采用沉浸式光刻(immersion lithography)技術(shù)，盡管它更希望使用EUV技術(shù)。

　　波爾暗示，使用EUV技術(shù)生產(chǎn)10納米芯片存在諸多困難：“我希望采用EUV技術(shù)生產(chǎn)10納米芯片，但我認(rèn)為它屆時(shí)還不成熟。”此外，EUV技術(shù)的制造成本也高于沉浸式光刻技術(shù)。英特爾研究團(tuán)隊(duì)還在積極探索生產(chǎn)7納米和5納米芯片的技術(shù)，但這一目標(biāo)距離現(xiàn)在過于遙遠(yuǎn)，因?yàn)?0納米芯片技術(shù)要到2015年才能達(dá)到生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。

　　波爾最后表示，與AMD、ARM等競爭對手不同的是，英特爾旗下?lián)碛泻瓦\(yùn)營著芯片生產(chǎn)工廠。他說：“工藝流程開發(fā)的確需要巨額投資，但也會(huì)帶來巨大的經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢。”