近日，中科院半導體所超晶格國家重點實驗室博士生康俊，在李京波研究員、李樹深院士和夏建白院士的研究團隊中，與美國勞倫斯伯克利國家實驗室（LBNL）汪林望博士研究組合作，在二維半導體異質(zhì)結(jié)的基礎(chǔ)研究中取得新進展。相關(guān)成果發(fā)表在9月30日美國化學學會主辦的《納米快報》（Nano Letters）上。

　　中科院半導體所超晶格國家重點實驗室博士生康俊，在李京波研究員、李樹深院士和夏建白院士的研究團隊中，與美國勞倫斯伯克利國家實驗室（LBNL）汪林望博士研究組合作，在二維半導體異質(zhì)結(jié)的基礎(chǔ)研究中取得新進展。相關(guān)成果發(fā)表在9月30日美國化學學會主辦的《納米快報》（Nano Letters）上。

　　半導體異質(zhì)結(jié)是由不同半導體材料接觸形成的結(jié)構(gòu)。由于構(gòu)成異質(zhì)結(jié)的兩種半導體材料擁有不同的禁帶寬度、電子親和能、介電常數(shù)、吸收系數(shù)等物理參數(shù)，異質(zhì)結(jié)將表現(xiàn)出許多不同于單一半導體材料的性質(zhì)。在傳統(tǒng)半導體領(lǐng)域，以半導體異質(zhì)結(jié)為核心制作的電子器件，如光電探測器、發(fā)光二極管、太陽能電池、激光器等，往往擁有比單一半導體材料制作的同類器件更加優(yōu)越的性能。