摘要：文章研究半導體激光器的特性及激光加工應用，進一步的研究了通快公司Tru Diode系統(tǒng)激光器的特性，并通過Tru Diode4006激光器進行激光釬焊工藝試驗，研究ALO3激光頭不同參數(shù)下實際光斑大小，同時研究不同焊接速度、不同熱絲電流、不同裝配間隙下的焊縫成型規(guī)律。

關(guān)鍵詞：半導體激光器；Tru Diode4006；激光釬焊；標準；工藝研究

1、半導體激光器的特性

半導體激光器也稱為半導體激光二極管，或簡稱激光二極管(LaserDiode，縮寫LD)。由于半導體材料本身物質(zhì)結(jié)構(gòu)的特異性以及半導體材料中電子運動規(guī)律的特殊性，使半導體激光器的工作特性有其特殊性。

半導體激光器采用注入電流方式泵浦。根據(jù)生成pn結(jié)所用材料和結(jié)構(gòu)的不同，半導體激光器有同質(zhì)結(jié)、異質(zhì)結(jié)(單、雙)、量子阱等多種類型。量子阱半導體激光器技術(shù)的成熟，半導體激光器的特性大大提高，具有闌值電流低易于進行高速電流調(diào)制，輸出功率高，頻率響應好，光譜線窄和溫度穩(wěn)定性好和較高的電光轉(zhuǎn)換效率(50%以上)等許多優(yōu)點。半導體激光器是成熟較早、進展較快的一類激光器，由于它的波長范圍寬，制作簡單、成本低、易于大量生產(chǎn)，并且由于體積小、重量輕、壽命長(一般可達數(shù)十萬乃至百萬小時以上)，因此，品種發(fā)展快，應用范圍廣。

半導體激光器以半導體材料為工作物質(zhì)。常用的半導體材料主要有三類：(1)ⅢA—ⅤA 族化合物半導體，如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等。(2)ⅡB —ⅥA族化合物半導體，如硫化鎘(CdS)等。(3)ⅣA—ⅥA族化合物半導體，如碲錫鉛(PbSnTe)等。