OLLS過(guò)程中，先將連接封裝劑放置于玻璃前端和第一片片狀薄膜前，通過(guò)用激光射線輕微熔化薄膜的方式將其固定。此后，太陽(yáng)能電池板將被有序排列并都附帶封裝劑。太陽(yáng)能電池，封裝劑和連接封裝劑通過(guò)局部激光焊接連接起來(lái)。典型的焊接時(shí)間為每個(gè)焊點(diǎn)約0.3s。焊接后，第二片層壓薄膜將會(huì)疊加到模塊的背面。太陽(yáng)能模塊的層壓工藝就完成了。

　　配合高溫計(jì)，在最佳溫度范圍內(nèi)通過(guò)使用激光焊接方法實(shí)現(xiàn)電連接，如果沒(méi)有周邊硅晶粒的影響還可改善接觸電阻。再與Galvo掃描儀配合便可充分體現(xiàn)激光焊接對(duì)于太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的靈活性及可控的優(yōu)點(diǎn)。

　　硅的烘干

　　目前采用的是大型的烘箱來(lái)烘干所生產(chǎn)的薄膜型太陽(yáng)能電池。此類烤箱具有較高的購(gòu)置性和經(jīng)營(yíng)成本，但唯一用途只是均勻地烘干每一片薄膜。

　　此處，激光射線被作為最有效的光源使用，并且整個(gè)烘干過(guò)程可通過(guò)半導(dǎo)體激光器來(lái)實(shí)現(xiàn)。這既可以用常規(guī)的激光束掃描太陽(yáng)能電池，或者從一開(kāi)始就使用線型激光，也符合太陽(yáng)能電池的幾何特性并能得出均勻光強(qiáng)分布。通過(guò)均勻的線聚焦法可達(dá)到較均勻的烘干效果。

　　這樣，既可以使用光纖耦合半導(dǎo)體激光系統(tǒng)和相應(yīng)的光斑均化線性光學(xué)，或者人們使用激光半導(dǎo)體組件并且在其光斑均勻化和光學(xué)成像后，將多個(gè)的激光半導(dǎo)體bar條排列成整齊的水平陣列。

　　一個(gè)簡(jiǎn)單的光斑均勻強(qiáng)度分布例子如圖6所示。這一即將投入使用的線性激光器其功率在幾百瓦范圍內(nèi)，且據(jù)其進(jìn)給速度得線寬約為160mm。

　　因其適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)元件，使得光強(qiáng)均一性可高達(dá)>90%。

        再結(jié)晶

　　在薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)過(guò)程中硅層會(huì)沉積在玻璃基板上。為獲取大面積，無(wú)缺陷的再結(jié)晶硅層，須嚴(yán)格符合規(guī)定的晶粒尺寸（對(duì)于硅層的進(jìn)一步增長(zhǎng)是很重要的），這與光強(qiáng)均勻的半導(dǎo)體激光有關(guān)。

　　例如，400W光功率的線狀光斑(見(jiàn)圖5和6)和約12mmx400μm尺寸的硅層掃描圖。

        總結(jié)：#p#分頁(yè)標(biāo)題#e#

　　半導(dǎo)體激光器在超脈沖狀態(tài)下沒(méi)有足夠的能量，因其本身不理想的光束質(zhì)量及特性，對(duì)于許多消融方面的應(yīng)用并不適合，但從經(jīng)濟(jì)角度來(lái)看，在太陽(yáng)能電池的焊接和烘干以及薄膜硅的制作方面的應(yīng)用，半導(dǎo)體激光器將是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。

　　半導(dǎo)體激光器通過(guò)與如高溫計(jì)或者Galvo掃描儀等附件的結(jié)合來(lái)獲得一個(gè)使用較靈活，同時(shí)可調(diào)控的熱源，這還使得太陽(yáng)能電池的薄化處理得以實(shí)現(xiàn)，從而提高了太陽(yáng)能電池的靈敏度。

　　我們還可以利用半導(dǎo)體激光模塊的光強(qiáng)均一性，來(lái)實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電池的均勻熱處理以及其他更多的應(yīng)用。