半導(dǎo)體寬譜光源在傳感、光譜學(xué)、生物醫(yī)學(xué)成像等方面具有廣泛的應(yīng)用前景，但目前所采用的發(fā)光管（leds）和超輻射二極管（sld）因其發(fā)射功率低 而有所局限，所以研發(fā)大功率的寬譜激光器具有重要意義。
 

      最近，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所材料科學(xué)重點實驗室潘教青研究員在指導(dǎo)研究生從事大功率激光器研究中，設(shè)計并實現(xiàn)了一種含隧道結(jié)構(gòu)的大功率量子阱激光器寬譜光源。其初步研究結(jié)果以 ultrabroadstimulatedemissionfromquantumwelllaser為題發(fā)表在appliedphysicsletters,vol.104,p.251101,（2014）上。該研究報道被國際雜志 naturephotonics（2014年9月1日出版）作為十大“亮點論文”進行了報道，稱該項研究對超短脈沖光源和多波長調(diào)諧光源方面的研究具有重要意義。該研究和通常的發(fā)光二極管、激光二極管的不同點在于其采用mocvd方法生長ingaas/gaas量子阱有源區(qū)時，增加了gaas的反向隧道結(jié)構(gòu)，提高了器件的增益和特征溫度。第一次實現(xiàn)了ingaas/gaas量子阱的寬譜激光器，中心波長1060nm，脈沖激射功率50mw，光譜寬度為38nm。此項研究對寬譜激光源的大功率輸出、降低成本、促進寬譜光源技術(shù)發(fā)展具有重要意義。