微芯片無處不在，很容易忽略它們的真正杰出之處。像溫控器或唱歌賀卡這樣的普通物品，包含數(shù)百萬個微觀結構，這些微觀結構是有史以來最杰出的制造工藝之一。

自1977年左右以來，當前的流程一直在發(fā)展，其工作方式類似于投影儀。激光通過掩膜發(fā)出的光，就像芯片的設計圖一樣，然后將掩膜投射到涂在硅板上的光敏化學品上。結果幾乎就像曝光照片一樣：光將芯片的圖像傳輸?shù)焦枭?，在硅上可以將其直接蝕刻到金屬中。這個過程稱為光刻，隨著它變得越來越先進，晶體管變得越來越小，越來越快并且更加節(jié)能。

制造芯片的特定機制已經非常復雜，需要原子級的精度和某些有史以來最精確的制造工具，但是當前的方法有其局限性。這個過程已經使用了將近15年，而且已經用盡了。現(xiàn)在，芯片上晶體管的部分尺寸約為7至10納米，遠小于用于制造它們的193nm紫外線。

如果我們要繼續(xù)制造更好，更快的芯片，制造商需要重新設計工藝，而新工藝是極紫外光刻或EUV。多年來，公司一直致力于開發(fā)芯片制造的下一步，而我們剛剛看到第一批使用EUV制成的設備進入市場。

要了解有關此過程的更多信息，我去了英特爾的兩家制造工廠，他們正在開發(fā)EUV，親自看一下機器，并了解有關這種極端制造的更多信息。

EUV仍是一項革命性的飛躍，仍將芯片藍圖投射到硅上，但是它使用波長極小的光來做到這一點，這對于創(chuàng)建微小的特征更好。

在這些微小的波長下，幾乎所有的東西都吸收紫外線，而典型的激光無法產生紫外線。該過程更加奇特，涉及液態(tài)金屬和高能等離子體。技術挑戰(zhàn)巨大，但回報是我們設備速度和能源效率的飛躍。