激光切割是利用激光器所發(fā)出的高能激光，經(jīng)透鏡聚焦，在焦點(diǎn)處達(dá)到極高的激光功率密，處于其焦點(diǎn)處的工件受到高功率密度的激光光斑照射，會(huì)產(chǎn)生局部高溫，使工件材質(zhì)瞬間汽化和融化，同時(shí)通過(guò)控 制平臺(tái)帶動(dòng)工件移動(dòng)，形成一種非接觸式的新型切割模式。

       激光加工由于具有能量集中、熱影響區(qū)域 小、不需接觸加工工件，對(duì)工件無(wú)污染、不受電磁干擾，且激光束易于聚焦、導(dǎo)向、便于自動(dòng)化控制等優(yōu)點(diǎn)。 現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、LED和光伏太陽(yáng)能等許多領(lǐng)域。

　 　LED晶圓激光切割的發(fā)展

　 　1、第一代紫外激光晶圓切割設(shè)備的誕生

　 　當(dāng)藍(lán)寶石作為襯底材料，被廣泛應(yīng)用于LED芯片生產(chǎn)后，傳統(tǒng)的刀具切割已經(jīng)無(wú)法滿 足切割要求，以美國(guó)Newave為主的幾家廠家，遂采用355nm、266nm等短波長(zhǎng)納秒激光器，對(duì)藍(lán)寶石晶圓進(jìn)行劃片加工，該方式解決了藍(lán)寶石切割難度大和LED行業(yè)對(duì)芯片做小和切割道做窄的要求，為以藍(lán)寶石為基底的LED規(guī)?；慨a(chǎn)，提供了高品質(zhì)切割的可能和保障。

　 　特點(diǎn)：

　 　激光器功率在1W左右

　 　劃片速度10--20mm/s

　 　產(chǎn)能1--3pcs/h

　 　激光脈沖納秒級(jí)

        切割效果：開(kāi)口狹小，效率較低，激光脈寬長(zhǎng)，融化現(xiàn)象明顯。

       2、新一代紫外激光切割設(shè)備的發(fā)展

　 　隨著藍(lán)綠光LED芯片技術(shù)的發(fā)展和規(guī)模的擴(kuò)大，大家對(duì)激光切割設(shè)備的要求也越來(lái)越高，這也迫使激光設(shè)備供應(yīng)商對(duì)設(shè)備進(jìn)行技術(shù)升級(jí)。同時(shí)由于激光器技術(shù)的發(fā)展和價(jià)格的降低，國(guó)產(chǎn)激光劃片設(shè)備也開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)，新一代紫外激光劃片設(shè)備隨即產(chǎn)生，其產(chǎn)能已經(jīng)提升到一代劃片機(jī)的3-5倍，最快可達(dá)15片每小時(shí)。

　 　特點(diǎn)：

　 　激光器功率2--3W

　 　劃片速度100--120mm/s

　 　產(chǎn)能10--15pcs/h

　 　激光脈沖寬皮秒級(jí)

        切割效果：開(kāi)口寬，切割效率高，激光脈沖短，氣化明顯，更適合側(cè)壁腐蝕工藝。

       3、皮秒激光晶圓切割設(shè)備的誕生和發(fā)展

　 　激光水晶內(nèi)雕技術(shù)公開(kāi)后，遂有人將該技術(shù)應(yīng)用到藍(lán)寶石的切割，從而使激光切割有了新的發(fā)展，也讓芯片亮度比傳統(tǒng)切割有了較大的提高，現(xiàn)在幾乎各芯片廠家都在使用皮秒切割設(shè)備，值得一提的是，該市場(chǎng)的國(guó)產(chǎn)設(shè)備是主力軍，一舉打破了Disco一統(tǒng)天下的局面和私下了皮秒切割設(shè)備神秘的面紗。

　 　特點(diǎn)：

　 　激光器功率1--3W

 　　劃片速度≦600mm/s

 　　產(chǎn)能16pcs/h

 　　激光脈沖皮秒級(jí)

 　　可提高芯片亮度約5%--10%

 　　切割效果：直接作用于材料內(nèi)部，速度快，產(chǎn)能高，融化材料少。