日前，諾貝爾獎紀念演講在瑞典斯德哥爾摩大學舉行，在獲得物理學獎的3人中，中村修二最后登臺。他在演講中回顧了藍色LED的研究過程，強調了在高亮度化中不可缺少的InGaN的重要性。此外，他還介紹了目前重點推進的研究——使用激光器的照明。

　　在演講中，中村說他“在基于GaN的藍色LED領域是新人”，但他獲得的成果已趕上并超越了赤崎與天野的研究小組率先得出的各種數(shù)據(jù)。其原動力就是“雙流MOCVD”。

　　InGaN不可或缺

　　中村使用雙流MOCVD裝置實現(xiàn)了基于InGaN的雙異質結結構，實現(xiàn)了藍色LED的高亮度化，從而推動了實用化進程。

　　以前業(yè)內普遍認為，不將GaN晶體內被稱為“位錯”的晶體缺陷減至103個/cm2，就不會發(fā)出明亮的光，但使用InGaN后，即使這一缺陷多達109個/cm2，也能實現(xiàn)高亮度發(fā)光。正是InGaN的這種特性推動了藍色LED及其之后的藍紫色半導體激光器的實現(xiàn)。

　　那么，為何InGaN在晶體缺陷多的情況下仍可發(fā)光呢？在介紹其原理時，中村引用日本東北大學教授秩父重英的研究成果稱，“與In的局域化效應有關”。

　　激光器將取代LED

　　中村在回顧藍色LED的研究后，介紹了目前正在著力研究的利用半導體激光器的照明。藍色LED存在“光效下降”問題，越是高亮度，就越難提高效率。而激光器不存在這一問題，“與LED照明相比，激光照明可實現(xiàn)非常高的效率”。因此中村預計，激光照明將來會取代LED照明。

　　最后，中村特意抽出時間發(fā)表了致謝，感謝日亞化學工業(yè)創(chuàng)始人、同意開發(fā)藍色LED并為此提供支持的小川信雄。并且，中村還向延續(xù)小川信雄足跡的現(xiàn)任社長小川英治，以及包括當時的部下在內的日亞化學工業(yè)的全體員工表達了謝意。另外，中村還向加利福尼亞大學圣塔芭芭拉分校（UCSB）的同事們表示了謝意。