三菱材料開發(fā)出了用于薄膜硅型太陽(yáng)能電池電極的Ag（銀）納米墨、ITO（氧化銦錫）納米墨及SiO2墨。這些墨系將納米顆粒分散到墨中制成，涂布在薄膜硅型太陽(yáng)能電池的Si層上后，可以形成名為背面電極的亞微米級(jí)厚度的薄膜。其光電轉(zhuǎn)換效率可與原來的真空成膜相當(dāng)。
薄膜硅型太陽(yáng)能電池的優(yōu)點(diǎn)有：硅用量可減至結(jié)晶硅型的1/100左右、能量?jī)敻镀冢ㄋl(fā)電力達(dá)到制造該產(chǎn)品所需電力的運(yùn)行時(shí)間）短、與化合物半導(dǎo)體型太陽(yáng)能電池相比不容易受Te（碲）等原料用量的限制等。不過，對(duì)太陽(yáng)能電池廠商而言，引進(jìn)多種真空成膜裝置的初期投資成本高是一個(gè)很大的問題，需要通過轉(zhuǎn)變成涂布成膜工藝來大幅降低成本。
據(jù)介紹，此次的電極墨，可利用大日本網(wǎng)屏制造（DNS）的涂布裝置“Linearcoater”在1.4m×1.1m的大塊玻璃上穩(wěn)定成膜。這有利于削減薄膜硅型太陽(yáng)能電池的制造成本。
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