加州圣何塞--(美國商業(yè)資訊)--工程基片工藝和技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商和束流誘導(dǎo)太陽能電池晶圓制造技術(shù)的先鋒企業(yè)Silicon Genesis今天宣布，該公司已經(jīng)最終確定了用于制造薄膜太陽能電池硅晶圓的第二代生產(chǎn)系統(tǒng)的規(guī)格。該系統(tǒng)設(shè)計成功是6年多以來開發(fā)、原型測試并與太陽能電池合作伙伴一起采用眾多設(shè)備對太陽能電池材料進行評估的成果。新GenII PolyMaxTM系統(tǒng)的推出得益于SiGen之前獲取的眾多業(yè)界首創(chuàng)成就，包括率先制造出獨立式的20um（微米）、50um、85um、120um和150um的125mm和156mm業(yè)界標準方形無切損單晶硅太陽能電池晶圓。這些成就為光伏業(yè)帶來了首創(chuàng)的真正無切損單晶硅晶圓制造技術(shù)。

      PolyMax高產(chǎn)量制造系統(tǒng)的推出將推動整個產(chǎn)業(yè)在使用更低成本的零浪費晶圓解決方案來代替線鋸工藝方面再前進一步。PolyMax系統(tǒng)的一大關(guān)鍵優(yōu)勢在于該系統(tǒng)能夠生產(chǎn)出比線鋸技術(shù)所能達到的更薄晶圓，從而使該行業(yè)能生產(chǎn)出擁有更高光電轉(zhuǎn)換率和更低成本的太陽能電池。

     Silicon Genesis總裁兼首席執(zhí)行官Francois Henley表示："我們相信，太陽能產(chǎn)業(yè)所面臨的嚴峻價格壓力將進一步推動質(zhì)子束誘導(dǎo)晶圓制造工藝的推廣。我們曾在2008年P(guān)VSEC大會上使用一部200萬伏高能質(zhì)子植入機原型制造出50 um厚的晶圓，首次推出我們的束流誘導(dǎo)切削技術(shù)。我們相信，使用我們的技術(shù)將大幅削減制造高性能太陽能電池的成本，讓光伏產(chǎn)業(yè)能夠早于預(yù)期數(shù)年在無補貼的情況下實現(xiàn)電網(wǎng)平價。這些薄和超薄太陽能晶圓擁有良好的性能，而且已經(jīng)經(jīng)過了我們合作伙伴和獨立第三方實驗室的測試。"

      在被問及有關(guān)其他薄膜硅技術(shù)提供商最近發(fā)布的新聞稿的問題時，Henley表示："最新發(fā)布的這些新聞進一步確認了市場需要能幫助降低高效硅吸光體制造成本的新方法和新工藝。我們曾在2006年在美國國家可再生能源實驗室對Ampulse熱絲化學氣相沉積（CVD）技術(shù)和SiGen層轉(zhuǎn)移單晶硅薄膜一起進行了評估。我轉(zhuǎn)而選擇了我們的直接高能束流誘導(dǎo)切削方法。這一方面能幫助公司使用他們新型的紋理支撐技術(shù)來制造高品質(zhì)薄膜。就在我們的此次新技術(shù)公布前不久，Twin Creeks Technologies宣布推出與我們束流誘導(dǎo)晶圓制造工藝類似的工藝，不過據(jù)報道他們的工藝僅限于生產(chǎn)接合式（非獨立式）20um薄膜。作為束流誘導(dǎo)晶圓制造技術(shù)的先鋒企業(yè)，而且假定對方?jīng)]有使用我們100多項美國專利組合中任一種專利（我們正在監(jiān)督），SiGen很高興看到另一家公司認識到薄晶體硅在幫助大幅降低太陽能電池成本上的重要性。事實是Twin Creeks Technologies在評估了SiGen的束流誘導(dǎo)晶圓商業(yè)計劃和技術(shù)（包括我們的200萬電子伏特植入機原型）之后不久就獲得一家風投公司的資助，這一點值得關(guān)切。"

      SiGen的束流誘導(dǎo)晶圓制造技術(shù)將不僅僅服務(wù)于太陽能市場。該核心技術(shù)還有能力為HB-LED以及利用硅、砷化鎵、鍺、碳化硅、氮化鎵和藍寶石的封裝/3D結(jié)構(gòu)領(lǐng)域新出現(xiàn)的業(yè)界要求提供高品質(zhì)的薄膜材料。該技術(shù)的關(guān)鍵優(yōu)勢是在保證高性能材料在要求嚴苛的最終應(yīng)用領(lǐng)域有效性的同時將高性能材料的成本降至最低。