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2012年傳感器將爭(zhēng)取實(shí)現(xiàn)三大戰(zhàn)略目標(biāo)

星之球科技 來(lái)源:工控網(wǎng)2012-06-26 我要評(píng)論(0 )   

我國(guó)傳感器的技術(shù)和產(chǎn)品,經(jīng)過(guò)發(fā)展,有了較大的提高。全國(guó)已經(jīng)有1600多家企事業(yè)單位從事傳感器研制、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)。但與國(guó)外相比,我國(guó)傳感器產(chǎn)品品種和質(zhì)量水平,尚不能...

        我國(guó)傳感器的技術(shù)和產(chǎn)品,經(jīng)過(guò)發(fā)展,有了較大的提高。全國(guó)已經(jīng)有1600多家企事業(yè)單位從事傳感器研制、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)。但與國(guó)外相比,我國(guó)傳感器產(chǎn)品品種和質(zhì)量水平,尚不能滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的需求,總體水平還處于國(guó)外上世紀(jì)90年代初期的水平。
  
  存在的主要問(wèn)題有:
  
  (1)科技創(chuàng)新差,核心制造技術(shù)嚴(yán)重滯后于國(guó)外,擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品少,品種不全,產(chǎn)品技術(shù)水平與國(guó)外相差15年左右。
  
  (2)投資強(qiáng)度偏低,科研設(shè)備和生產(chǎn)工藝裝備落后,成果水平低,產(chǎn)品質(zhì)量差。
  
  (3)科技與生產(chǎn)脫節(jié),影響科研成果的轉(zhuǎn)化,綜合實(shí)力較低,產(chǎn)業(yè)發(fā)展后勁不足。
  
  戰(zhàn)略目標(biāo)
  
  到2012年,傳感器領(lǐng)域應(yīng)爭(zhēng)取實(shí)現(xiàn)三大戰(zhàn)略目標(biāo):
  
  ---以工業(yè)控制、汽車(chē)、通訊、環(huán)保為重點(diǎn)服務(wù)領(lǐng)域,以傳感器、彈性元件、光學(xué)元件、專(zhuān)用電路為重點(diǎn)對(duì)象,發(fā)展具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的原創(chuàng)性技術(shù)和產(chǎn)品;
  
  ---以MEMS工藝為基礎(chǔ),以集成化、智能化和網(wǎng)絡(luò)化技術(shù)為依托,加強(qiáng)制造工藝和新型傳感器和儀表元器件的開(kāi)發(fā),使主導(dǎo)產(chǎn)品達(dá)到和接近國(guó)外同類(lèi)產(chǎn)品的先進(jìn)水平;
  
  ---以增加品種、提高質(zhì)量和經(jīng)濟(jì)效益為主要目標(biāo),加速產(chǎn)業(yè)化,使國(guó)產(chǎn)傳感器的品種占有率達(dá)到70%~80%,高檔產(chǎn)品達(dá)60%以上。
  
  2012年傳感器發(fā)展重點(diǎn)
  
  傳感器技術(shù)
  
  (1)MEMS工藝和新一代固態(tài)傳感器微結(jié)構(gòu)制造工藝:深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)工藝或IGP工藝;封裝工藝:如常溫鍵合倒裝焊接、無(wú)應(yīng)力微薄結(jié)構(gòu)封裝、多芯片組裝工藝;新型傳感器:如用微硅電容傳感器、微硅質(zhì)量流量傳感器、航空航天用動(dòng)態(tài)傳感器、微傳感器,汽車(chē)專(zhuān)用壓力、加速度傳感器,環(huán)保用微化學(xué)傳感器等。
  
  (2)集成工藝和多變量復(fù)合傳感器微結(jié)構(gòu)集成制造工藝;工業(yè)控制用多變量復(fù)合傳感器,如:壓力、靜壓、溫度三變量傳感器,氣壓、風(fēng)力、溫度、濕度四變量傳感器,微硅復(fù)合應(yīng)變壓力傳感器,陳列傳感器。
  
  (3)智能化技術(shù)與智能傳感器信號(hào)有線或無(wú)線探測(cè)、變換處理、邏輯判斷、功能計(jì)算、雙向通訊、自診斷等智能化技術(shù);智能多變量傳感器,智能電量傳感器和各種智能傳感器、變送器。
  
  (4)網(wǎng)絡(luò)化技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)化傳感器傳感器網(wǎng)絡(luò)化技術(shù);網(wǎng)絡(luò)化傳感器,使傳感器具有工業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)接口和協(xié)議功能。
 

 

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