激光制造網(wǎng)2月5日消息：近日本站從中科院半導(dǎo)體研究所獲悉，2013年2月1日，中科院計劃財務(wù)局和高技術(shù)局組織專家對該所“高效大功率GaN LED外延及芯片技術(shù)” “低電壓垂直結(jié)構(gòu)GaN LED芯片技術(shù)”“ 深紫外LED關(guān)鍵材料及器件技術(shù)”及“ MOCVD重大裝備技術(shù)”等四項科技成果進行了鑒定。

　  成果鑒定會上，由多位院士組成的鑒定委員會委員聽取了半導(dǎo)體所做的技術(shù)總結(jié)報告、測試報告、技術(shù)查新報告及用戶使用報告，審查了相關(guān)材料，最終分別對四項成果形成了鑒定意見，各項成果綜合研究指標(biāo)均達到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進水平，整個鑒定工作圓滿完成。

　  此次成果鑒定是半導(dǎo)體所在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域自2006年至2012年六年的成果累計，半導(dǎo)體照明研發(fā)中心結(jié)合產(chǎn)業(yè)的實際情況，針對不同企業(yè)會對技術(shù)有不同的需求，特別是對單項技術(shù)的需求，對不同時期、不同類型的十余項國家項目進行了高度凝練，總結(jié)出各自具有系統(tǒng)性集成化的單項科學(xué)技術(shù)，以便未來成果順利轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，為產(chǎn)業(yè)提供有力的技術(shù)支撐。