閱讀 | 訂閱
閱讀 | 訂閱
半導體/PCB

有效提高高功率LED散熱性的分析

星之球激光 來源:21ic2012-09-05 我要評論(0 )   

前言 長久以來,顯示應用一直是 LED 的主要訴求,對于LED的散熱性要求不甚高的情況下,LED多利用傳統(tǒng)樹脂基板進行封裝。 2000年以后,隨LED高輝度化與高效率化技術發(fā)展...

       前言
  
  長久以來,顯示應用一直是LED的主要訴求,對于LED的散熱性要求不甚高的情況下,LED多利用傳統(tǒng)樹脂基板進行封裝。
  
  2000年以后,隨LED高輝度化與高效率化技術發(fā)展,再加上藍光LED發(fā)光效率大幅改善,與LED制造成本持續(xù)下滑,讓LED應用范圍、及有意愿采用LED的產(chǎn)業(yè)范圍不斷擴增,包括液晶、家電、汽車等業(yè)者,也開始積極考慮應用LED的可能性,例如消費性產(chǎn)品業(yè)者對于高功率LED的期待是,能達到省電、高輝度、長使用壽命、高色再現(xiàn)性,這代表著達到高散熱性能力,是高功率LED封裝基板不可欠缺的條件。
  
  此外,液晶面板業(yè)者面臨歐盟RoHS規(guī)范,需正視將冷陰極燈管全面無水銀化的環(huán)保壓力,造成市場對于高功率LED的需求更加急迫。
  
  LED封裝除了保護內(nèi)部LED芯片外,還兼具LED芯片與外部作電氣連接、散熱等功能。

 

    環(huán)氧樹脂特性已不符合高功率LED需求
  
  1個LED能達到幾百流明,這基本上不是大問題,主要的問題是,如何去處理散熱?接下來在產(chǎn)生這么大的流明后,如何維持亮度的穩(wěn)定與持續(xù)性,這又是另一個重要課題,若熱處理沒有做好的話,LED的亮度和壽命會下降很快,對于LED來說,如何做到有效的可靠度和熱傳導,是非常重要。
  
  以往LED是使用低熱傳導率樹脂進行封裝,不過這被視為是影響散熱特性的原因之一,此外,環(huán)氧樹脂耐熱性比較差,可能會出現(xiàn)的情況是,在LED芯片本身的壽命未到達前,環(huán)氧樹脂就已呈現(xiàn)變色情況,因此,提高散熱性已是重要關鍵。
  
  除此之外,不僅因為熱現(xiàn)象會對環(huán)氧樹脂產(chǎn)生變化,甚至短波長也會對環(huán)氧樹脂造成問題,這是因為白光LED發(fā)光光譜中,也包含短波長光線,而環(huán)氧樹脂卻相當容易受白光LED中的短波長光線破壞,即使是低功率白光LED,已能使環(huán)氧樹脂破壞現(xiàn)象加劇,更何況高功率白光LED所發(fā)出的短波長光線更多,惡化自然比低功率款式更加快速,甚至有些產(chǎn)品在連續(xù)點亮后的使用壽命僅5,000小時,甚至更短!所以,與其不斷克服因舊有封裝材料“環(huán)氧樹脂”帶來的變色困擾,不如朝尋求新1代的封裝材料努力。

   圖說:環(huán)氧樹脂耐熱性比較差,在LED芯片本身的壽命到達前,環(huán)氧樹脂就已出現(xiàn)變色。

圖1:環(huán)氧樹脂耐熱性比較差,在LED芯片本身的壽命到達前,環(huán)氧樹脂就已出現(xiàn)變色。

        金屬基板成新焦點
  
  因此最近幾年逐漸改用高熱傳導陶瓷,或是金屬樹脂封裝結構,就是為了解決散熱、與強化原有特性做的努力。LED芯片高功率化常用方式是:芯片大型化、改善發(fā)光效率、采用高取光效率的封裝、及大電流化。這類做法雖然電流發(fā)光量會呈比例增加,不過發(fā)熱量也會隨之上升。
  
  對高功率LED封裝技術上而言,由于散熱的問題造成了一定程度的困擾,在此背景下具有高成本效益的金屬基板技術,就成了LED高效率化之后另1個備受關心的新發(fā)展。
  
  過去由于LED輸出功率較小,因此使用傳統(tǒng)FR4等玻璃環(huán)氧樹脂封裝基板,并不會造成太大的散熱問題,但應用于照明用的高功率LED,其發(fā)光效率約為20%~30%左右,雖芯片面積相當小,整體消費 電力也不高,不過單位面積的發(fā)熱量卻很大。
  
  一般來說,樹脂基板的散熱,只能夠支持0.5W以下的LED,超過0.5W以上的LED,多改用金屬或陶瓷高散熱基板進行封裝,主要原因是,基板的散熱性直接影響LED壽命與性能,因此封裝基板成為設計高輝度LED商品的開發(fā)重點。

圖說:LED芯片大多利用芯片大型化、改善發(fā)光效率、采高取光效率封裝,及大電流化達高亮度目標。

                     #p#分頁標題#e#  圖2:LED芯片大多利用芯片大型化、改善發(fā)光效率、采高取光效率封裝,及大電流化達高亮度目標。

     高功率加速金屬基板取代樹脂材料
  
  關于LED封裝基板散熱設計,目前大致可以分成,LED芯片至封裝體的熱傳導、及封裝體至外部的熱傳達兩大部分。使用高熱傳導材時,封裝內(nèi)部的溫差會變小,此時熱流不會呈局部性集中,LED芯片整體產(chǎn)生的熱流,呈放射狀流至封裝內(nèi)部各角落,所以利用高熱傳導材料,可提高內(nèi)部的熱擴散性。
  
  就熱傳導的改善來說,幾乎是完全仰賴材料提升來解決問題。多數(shù)人均認為,隨LED芯片大型化、大電流化、高功率化發(fā)展,會加速金屬封裝取代傳統(tǒng)樹脂封裝方式。
  
  就目前金屬高散熱基板材料而言,可分成硬質與可撓曲兩種基板,結構上,硬質基板屬于傳統(tǒng)金屬材料,金屬LED封裝基板采鋁與銅等材料,絕緣層部分,大多采充填高熱傳導性無機填充物,擁有高熱傳導性、加工性、電磁波遮蔽性、耐熱沖擊性等金屬特性,厚度方面通常大于1mm,大多都廣泛應用在LED燈具模塊,與照明模塊等,技術上是與鋁質基板具相同高熱傳導能力,在高散熱要求下,相當有能力擔任高功率LED封裝材料。


  
  各封裝基板業(yè)者正積極開發(fā)可撓曲基板
  
  可撓曲基板的出現(xiàn),原期望應用在汽車導航的LCD背光模塊薄形化需求而開發(fā),以及高功率LED可以完成立體封裝要求下產(chǎn)生,基本上可撓曲基板以鋁為材料,是利應用鋁的高熱傳導性與輕量化特性,制成高密度封裝基板,透過鋁質基板薄板化后,達可撓曲特性,并且也能夠具高熱傳導特性
  
  一般而言,金屬封裝基板熱傳導率大約是2W/m?K,但由于高效率LED的熱效應更高,所以為了滿足達到4~6W/m?K熱傳導率的需要,目前已有熱傳導率超過8W/m?K的金屬封裝基板。由于硬質金屬封裝基板主要目的是,能夠滿足高功率LED的封裝,因此各封裝基板業(yè)者正積極開發(fā)可以提高熱傳導率的技術。雖然利用鋁板質補強板可以提高散熱性,不過卻有成本與組裝的限制,無法根本解決問題。

圖說:透過鋁質基板薄板化后,達可撓曲特性,并也能具有高熱傳導特性。

圖3:透過鋁質基板薄板化后,達可撓曲特性,并也能具有高熱傳導特性。

     不過,金屬封裝基板的缺點是,金屬熱膨脹系數(shù)很大,當與低熱膨脹系數(shù)陶瓷芯片焊接時,容易受熱循環(huán)沖擊,所以當使用氮化鋁封裝時,金屬封裝基板可能會發(fā)生不協(xié)調現(xiàn)象,因此必需克服LED中,各種不同熱膨脹系數(shù)材料,所造成的熱應力差異,提高封裝基板的可靠性。

  高熱傳導撓曲基板,是在絕緣層黏貼金屬箔,雖然基本結構與傳統(tǒng)撓曲基板完全相同,不過在絕緣層方面,是采用軟質環(huán)氧樹脂充填高熱傳導性無機填充物,因此具有8W/m?K的高熱傳導性,同時還兼具柔軟可撓曲、高熱傳導特性與高可靠性,此外可撓曲基板還可以依照客戶需求,可將單面單層板設計成單面雙層、雙面雙層結構。根據(jù)實驗結果顯示,使用高熱傳導撓曲基板時,LED的溫度大約降低攝氏100度,這代表著溫度造成LED使用壽命降低的問題,將可因變更基板設計而大幅改善。
  
  事實上,除高功率LED外,高熱傳導撓曲基板,還可應用在其它高功率半導體組件上,適用于空間有限、或是高密度封裝等環(huán)境。不過,僅僅依賴封裝基板,往往無法滿足實際需求,因此基板外圍材料的配合也變得益形重要,例如配合3W/m?K的熱傳導性膜片,就能夠有效再提高其散熱性。

 

轉載請注明出處。

暫無關鍵詞
免責聲明

① 凡本網(wǎng)未注明其他出處的作品,版權均屬于激光制造網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用。獲本網(wǎng)授權使用作品的,應在授權范圍內(nèi)使 用,并注明"來源:激光制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關責任。
② 凡本網(wǎng)注明其他來源的作品及圖片,均轉載自其它媒體,轉載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點和對其真實性負責,版權歸原作者所有,如有侵權請聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個人認為本網(wǎng)內(nèi)容可能涉嫌侵犯其合法權益,請及時向本網(wǎng)提出書面權利通知,并提供身份證明、權屬證明、具體鏈接(URL)及詳細侵權情況證明。本網(wǎng)在收到上述法律文件后,將會依法盡快移除相關涉嫌侵權的內(nèi)容。

網(wǎng)友點評
0相關評論
精彩導讀