近期，中國科學院光電技術(shù)研究所順利完成新一代單場超大面積光刻機(650mmX650mm)研制，并通過用戶驗收，各項技術(shù)指標達到國際先進水平。新一代超大面積光刻機采用2500W大功率高壓汞燈作為光源，利用離軸非球面反射鏡結(jié)合蠅眼透鏡勻光技術(shù)，在實現(xiàn)高光功率密度的同時，保證照明均勻性。同時，為解決大尺寸樣片調(diào)平及對準等關(guān)鍵技術(shù)問題，創(chuàng)新性地采用了低阻力氣浮調(diào)平技術(shù)以及可變倍率光學系統(tǒng)等先進技術(shù)。經(jīng)測試，設(shè)備在650mm×650mm照明面積內(nèi)，光功率密度大于15mW/cm2，照明不均勻性≤5%，能夠一次性進行650mm×650mm的大面積樣片加工，加工分辨力達到2μm，對準精度±1μm。
該設(shè)備具有大曝光面積、高套刻對準精度、高可靠性、操作方便、自動化程度高等特點，不僅能夠在平板顯示產(chǎn)業(yè)進行彩膜(CF)、隔柱(Spacer)以及薄膜晶體管(TFT)等核心部件加工，還能夠應用于微電子、微機電、微光學領(lǐng)域進行各種芯片、傳感器、大尺寸光柵、碼盤等微納元件加工及芯片封裝。同時該設(shè)備還能夠在宏觀加工領(lǐng)域，完成傳統(tǒng)機械加工方式難以實現(xiàn)的薄壁零件等高難度加工，應用領(lǐng)域廣泛。
近日，首家用戶中科院西安光學精密機械研究所在光電所舉行了設(shè)備驗收會。西安光機所有關(guān)專家聽取報告，并對超大面積光刻機設(shè)備進行了現(xiàn)場測試與實驗，驗證了各項性能指標均滿足設(shè)計要求，對光電所研制水平表示了肯定和贊賞。新一代單場超大面積光刻設(shè)備，無論是曝光面積、照明不均勻性、光功率密度還是對準精度等核心技術(shù)指標都處于國際先進水平。其成功研制對提升我國微細加工設(shè)備整體研制水平，促進我國單場超大面積極端微細加工技術(shù)發(fā)展具有重要的現(xiàn)實意義。
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